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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种芯片结构和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076512B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510519700.X，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种芯片结构和制备方法是由杨杰;刘宗迪;牛萍娟设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片结构和制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种同时提高深紫外LED晶体质量和注入效率的芯片结构和制备方法。所述芯片结构包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层的上方设有多量子阱层，在多量子阱层的侧面设有n型掺杂层，在n型掺杂层的上方设有n型接触电极；在所述多量子阱层内插设有若干个p型掺杂层插头，在p型掺杂层插头和多量子阱层的上方设有p型掺杂层，在p型掺杂层上设有p型接触电极；在整个结构的上表面设有钝化层，加厚金属电极穿设于钝化层且位于n型接触电极和p型接触电极上。本发明能够同时改善多量子阱层中空穴注入不足和提高多量子阱层的晶体质量。

本发明授权一种芯片结构和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种同时提高深紫外LED晶体质量和注入效率的芯片结构，包括衬底（1），其特征在于：在衬底（1）上设有缓冲层（2），在缓冲层（2）的上方设有多量子阱层（3），在多量子阱层（3）的侧面设有n型掺杂层（4），在n型掺杂层（4）的上方设有n型接触电极（7）；在所述多量子阱层（3）内插设有p型掺杂层插头（5），在p型掺杂层插头（5）和多量子阱层（3）的上方设有p型掺杂层（6），在p型掺杂层（6）上设有p型接触电极（8）；在整个结构的上表面设有钝化层（9），加厚金属电极（10）穿设于钝化层（9）且位于n型接触电极（7）和p型接触电极（8）上； 所述多量子阱层（3）为AlxGa1-xNAlyGa1-yN的多量子阱层，其中，0x1，0y1；所述多量子阱层（3）的阱层和垒层周期数为m，其中，1≤m≤10，m为整数；所述多量子阱层（3）的阱层厚度为0.5-5nm，多量子阱层（3）的垒层厚度为5-15nm； 所述n型掺杂层（4）的厚度与多量子阱层（3）厚度相同； 所述p型掺杂层插头（5）插入到多量子阱层（3）的深度至第X个量子阱中，其中，0X≤10，X为整数； 同时提高深紫外LED晶体质量和注入效率的芯片结构的制备方法，包括以下步骤： S1.在衬底（1）上依次外延生长缓冲层（2）和多量子阱层（3）； S2.在多量子阱层（3）边缘区域向下进行刻蚀，直至缓冲层（2），形成n型掺杂层（4）再生长区域，用于生长后续n型掺杂层（4）； S3.在多量子阱层（3）侧面的缓冲层（2）上进行选区外延生长n型掺杂层（4）； S4.在多量子阱层（3）中进行刻蚀，形成p沟槽，用于生长后续p型掺杂层插头（5）和p型掺杂层（6）； S5.在刻蚀后的多量子阱层（3）上分别外延生长p型掺杂层插头（5）和p型掺杂层（6）； S6.在n型掺杂层（4）和p型掺杂层（6）上表面分别制备n型接触电极（7）和p型接触电极（8）； S7.将钝化层（9）覆盖于整个结构的上表面，用于保护多量子阱层（3）及分隔n型掺杂层（4）和p型掺杂层（6），并在n型接触电极（7）与p型接触电极（8）处开设电极窗口，再在电极窗口沉积加厚金属电极（10）。

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