杭州富芯半导体有限公司苏文华获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种离子输出量监控设备、监测方法及离子注入设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115968093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211737032.0，技术领域涉及：H05H1/46；该发明授权一种离子输出量监控设备、监测方法及离子注入设备是由苏文华;李振雨设计研发完成，并于2022-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种离子输出量监控设备、监测方法及离子注入设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种离子输出量监控设备、离子注入设备、离子输出量监测方法及电子设备，在等离子发生装置与电子束监测装置之间设置磁力发生装置，磁力发生装置所产生的磁感线方向与负电子的运动方向垂直，用于将未与电子束反应的负电子进行偏转，以使得未与电子束反应的负电子远离等离子发生装置的电子输出端，其中，所述负电子由所述等离子发生装置所产生。由此，在避免对电子束路径产生影响的基础上，利用弱磁力，对负电子实现偏转，有效的解决负电子回流问题。同时，磁力发生装置设置在机台空置区域，可以实现方便无障碍的安装，对现有机台的整体运行无影响。
本发明授权一种离子输出量监控设备、监测方法及离子注入设备在权利要求书中公布了：1.一种离子输出量监控设备，其特征在于，所述设备包括： 磁力发生装置，设置于等离子发生装置与电子束监测装置之间，所述磁力发生装置所产生的磁感线方向与负电子的运动方向垂直，用于将未与电子束反应的所述负电子进行偏转，以使得未与电子束反应的所述负电子远离所述等离子发生装置的电子输出端，所述负电子由所述等离子发生装置所产生； 所述磁力发生装置包括： 两个磁极不同的磁体； 石墨，设置于两个所述磁体之间； 所述磁力发生装置的磁感应强度为B，2KD＜B＜1000KD，其中，K＝mq*V＝V*5.7*10-12，m表示负电子质量，q表示负电子电荷，V表示负电子的速度，D表示所述磁力发生装置的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州富芯半导体有限公司，其通讯地址为：310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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