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龙图腾网获悉北京环境特性研究所申请的专利一种超宽频高性能吸波结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832720B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211644031.1，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种超宽频高性能吸波结构是由周昊天;杜雪梅;任重儒;田江晓;车永星;易书航;卢澜;王登琦;张福祥;林博宇设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超宽频高性能吸波结构在说明书摘要公布了：本发明涉及吸波结构技术领域，特别涉及一种超宽频高性能吸波结构。该吸波结构包括第一阻抗层、第一泡沫层、第二阻抗层、第二泡沫层、第三阻抗层、第三泡沫层和金属层；第一阻抗层由呈正方形的第一周期单元组成，第一周期单元包括第一贴片型结构，第一贴片型结构包括正方形环状的贴片型结构；第二阻抗层由呈正方形的第二周期单元组成，第二周期单元包括第二贴片型结构，第二贴片型结构包括正方形环状的贴片型结构；第三阻抗层由呈正方形的第三周期单元组成，第三周期单元包括第三贴片型结构，第三贴片型结构包括正方形环状的贴片型结构。本发明实施例提供了一种可在超宽频实现‑20dB以上吸波效果的结构。

本发明授权一种超宽频高性能吸波结构在权利要求书中公布了：1.一种超宽频高性能吸波结构，其特征在于，沿厚度方向依次包括第一阻抗层（1）、第一泡沫层（2）、第二阻抗层（3）、第二泡沫层（4）、第三阻抗层（5）、第三泡沫层（6）和金属层（7）； 所述第一阻抗层（1）由呈正方形的第一周期单元（11）沿其两个临边方向周期排列组成，排列的最小周期为所述第一周期单元（11）的边长，所述第一周期单元（11）包括正方形的电磁膜和设置在所述电磁膜上的第一贴片型结构（111），所述第一贴片型结构（111）包括正方形环状的贴片型结构； 所述第二阻抗层（3）由呈正方形的第二周期单元（31）沿其两个临边方向周期排列组成，排列的最小周期为所述第二周期单元（31）的边长，所述第二周期单元（31）包括正方形的电磁膜和设置在所述电磁膜上的第二贴片型结构（311），所述第二贴片型结构（311）包括正方形环状的贴片型结构； 所述第三阻抗层（5）由呈正方形的第三周期单元（51）沿其两个临边方向周期排列组成，排列的最小周期为所述第三周期单元（51）的边长，所述第三周期单元（51）包括正方形的电磁膜和设置在所述电磁膜上的第三贴片型结构（511），所述第三贴片型结构（511）包括正方形环状的贴片型结构； 所述第一贴片型结构（111）、所述第二贴片型结构（311）和所述第三贴片型结构（511）的环宽依次减小； 所述第一周期单元（11）的边长包括5mm，所述第一贴片型结构（111）的外边长为4.7~4.9mm，所述第一贴片型结构（111）的环宽为1~2mm； 所述第二周期单元（31）的边长包括5mm，所述第二贴片型结构（311）的外边长为3.5~4.5mm，所述第二贴片型结构（311）的环宽为0.5~1mm； 所述第三周期单元（51）的边长包括5mm，所述第三贴片型结构（511）的外边长为3~4mm，所述第三贴片型结构（511）的环宽为0.1~0.3mm； 所述第一泡沫层（2）的厚度为0.8~1.5mm； 所述第二泡沫层（4）的厚度为0.8~1.5mm； 所述第三泡沫层（6）的厚度为1.5~2.5mm； 所述第一周期单元（11）的电磁膜面电阻为150-250Ωsq； 所述第二周期单元（31）的电磁膜面电阻为150-250Ωsq； 所述第三周期单元（51）的电磁膜面电阻为250-350Ωsq。

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