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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314524B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211574380.0，技术领域涉及：H10H20/83；该发明授权发光二极管及发光装置是由陈思河;臧雅姝;曾明俊;蔡吉明;张中英;黄少华;江宾设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有多个通孔，各通孔自第二半导体层向下延伸至第一半导体层；从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视，以半导体叠层的中心为原点建立xy坐标系，向x轴两侧偏移第一距离和向y轴两侧偏移第二距离围成第一图形，向x轴两侧偏移第三距离和向y轴两侧偏移第四距离围成第二图形，位于第一图形内的通孔间的第一间距大于位于第一图形和第二图形间的通孔间的第二间距。借此增强载子传导能力，使得局域电流密度均等化，避免集中区电流带来的热效应，避免直下的电损伤击穿PN结，提升发光二极管的抗ESD性能。

本发明授权发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括： 半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述半导体叠层具有多个通孔，各所述通孔是自所述第二半导体层向下延伸至所述第一半导体层，所述通孔裸露出所述第一半导体层的部分表面； 其中，从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，以所述半导体叠层的中心为原点建立坐标系，以原点到所述半导体叠层的第一侧边的垂直线段所在的直线为坐标系的x轴，以原点到所述半导体叠层的第二侧边的垂直线段所在的直线为坐标系的y轴，所述第一侧边垂直并连接所述第二侧边；向x轴的正负两侧偏移第一距离和向y轴的正负两侧偏移第二距离以围成第一图形，向x轴的正负两侧偏移第三距离和向y轴的正负两侧偏移第四距离以围成第二图形，所述第三距离和所述第四距离均大于所述第一距离和所述第二距离，位于所述第一图形内的相邻通孔之间具有第一间距，位于所述第一图形和所述第二图形之间的相邻通孔之间具有第二间距，所述第一间距大于所述第二间距； 其中，向x轴的正负两侧偏移第五距离和向y轴的正负两侧偏移第六距离以围成第三图形，所述第五距离和所述第六距离均大于所述第一距离和所述第二距离，并均小于所述第三距离和所述第四距离，位于所述第一图形和所述第三图形之间的相邻通孔具有第三间距，所述第一间距大于所述第三间距，所述第三间距大于等于所述第二间距。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门三安光电有限公司，其通讯地址为：361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。