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龙图腾网获悉成都功成半导体有限公司申请的专利一种降低晶格失配的GaN HEMT功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211615478.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种降低晶格失配的GaN HEMT功率器件是由王中健;曹远迎设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低晶格失配的GaN HEMT功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低晶格失配的GaNHEMT功率器件，属于半导体技术领域，器件包括从下至上依次连接的第三衬底、第二中间层、缓冲层、GaN层和AlGaN层；所述AlGaN层上设置有源极、漏极和栅极，其中，所述源极、漏极均延伸连接至所述GaN层中；所述GaN层中设置有空腔，所述空腔的下端延伸至所述缓冲层中，所述空腔的上端位于源极和漏极的沟道下方，所述GaNHEMT功率器件的一侧向下键合一个SOI片，在所述第二中间层上加一个硅层。本发明通过在GaN层形成空腔，一方面减少了沟道下方GaN层的厚度，减少了漏电通道，减少漏电，另一方面，使得AlGaNGaN界面二维电子气密度增加，减少GaN层因为晶格失配引起的位错，提高器件性能。

本发明授权一种降低晶格失配的GaN HEMT功率器件在权利要求书中公布了：1.一种降低晶格失配的GaNHEMT功率器件，其特征在于，包括从下至上依次连接的第三衬底1、第二中间层2、缓冲层3、GaN层4和AlGaN层5；所述AlGaN层5上设置有源极、漏极和栅极，其中，所述源极、漏极均延伸连接至所述GaN层4中；所述GaN层4中设置有空腔6，所述空腔6的下端延伸至所述缓冲层3中，所述空腔6的上端位于源极和漏极的沟道下方； 所述GaNHEMT功率器件的制备方法包括以下步骤： S1、在第一衬底8上依次外延缓冲层3、GaN层4和AlGaN层5； S2、在所述AlGaN层5上旋涂或沉积第一中间层9，并在所述第一中间层9上键合第二衬底10； S3、研磨加选择性刻蚀去掉所述第一衬底8漏出所述缓冲层3，在所述缓冲层3上旋涂光刻胶并开窗口； S4、依次刻蚀所述缓冲层3、GaN层4形成刻蚀槽，其中，刻蚀槽延伸至所述GaN层4内部后停止刻蚀并去除所述光刻胶； S5、在所述缓冲层3上键合旋涂或沉积有第二中间层2的第三衬底1，并让所述第二中间层2盖住所述刻蚀槽，形成空腔6； S6、去掉所述第一中间层9和第二衬底10，并在所述AlGaN层5上制造源极、漏极和栅极，得到GaNHEMT功率器件； 所述GaNHEMT功率器件的一侧向下键合一个SOI片，在所述第二中间层2上加一个硅层。

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