江西兆驰半导体有限公司胡加辉获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332407B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210990499.X，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权一种发光二极管外延片及其制备方法是由胡加辉;刘春杨;吕蒙普;金从龙设计研发完成，并于2022-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片通过在Si衬底上生长第一子层，由于第一子层为低温InN层，其粗糙的表面可以使部分位错湮灭，降低位错密度，然后再生长第二子层，该第二子层为高温InN层，可以填平第一子层，使表面平整，从而提升了InN层的晶体质量，最后再生长In组分沿外延生长的方向逐渐减少的InGaN层，可降低InN层与后续GaN外延层之间的晶格失配，减少缺陷的产生，最终达到提高外延层的晶体质量的目的。
本发明授权一种发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括缓冲层，所述缓冲层包括依次外延生长的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层和所述第二子层均为InN层，所述第三子层为InGaN层； 其中，所述第一子层的生长温度低于所述第二子层的生长温度，且所述第三子层的In组分沿外延生长的方向逐渐减少； 所述第一子层的生长模式为三维生长模式，ⅤⅢ比范围为300~600； 所述第二子层的生长模式为二维生长模式，ⅤⅢ比范围为30~60。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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