上海科技大学任豪获国家专利权
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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种高速低电压导电桥式阻变存储器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824069B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210317307.9，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种高速低电压导电桥式阻变存储器件的制作方法是由任豪;曹海潮设计研发完成，并于2022-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高速低电压导电桥式阻变存储器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高速低电压导电桥式阻变存储器件的制作方法。本发明的制作方法包括：在表面有氧化硅或氮化硅的衬底上制备下电极，通过等离子增强化学气相沉积等工艺制备较厚的隔离层氧化硅或氮化硅，再对隔离层氧化硅或氮化硅层进行刻蚀以形成井区，然后通过磁控溅射、电子束蒸发等工艺沉积阻变层氧化物，沉积上电极并通过湿法腐蚀进行图形化，最后通过湿法或干法腐蚀去除部分隔离层以暴露下电极。本发明通过平面微纳加工工艺，降低了工艺复杂度，同时，井区的存在使上下电极在阻变功能区以外形成良好的电学隔离，还能精确控制阻变层厚度。从而能够实现极低的工作电压与很快的切换速度，可广泛适用于新型非易失性存储器CBRAM的加工制造。
本发明授权一种高速低电压导电桥式阻变存储器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高速低电压导电桥式阻变存储器件的制作方法，其特征在于，采用平面微纳加工制作，具体包括如下步骤： 步骤1：在硅片衬底上制作一层绝缘层； 步骤2：在步骤1所得的具有绝缘层的硅片衬底上制作下电极； 步骤3：在下电极上沉积绝缘层； 步骤4：涂胶、光刻和显影，暴露刻蚀区，通过湿法刻蚀或干法刻蚀对绝缘层进行刻蚀，完全刻蚀至下电极以形成井区； 步骤5：去除步骤4中的光刻胶后，沉积一层纳米级厚度的的氧化硅、氧化铝或氧化铪层作为阻变层； 步骤6：在步骤5所得的样品上制作上电极； 步骤7：涂胶、光刻和显影，暴露刻蚀区，通过湿法刻蚀或干法刻蚀对步骤3中的绝缘层进行刻蚀，完全刻蚀至下电极，使得下电极暴露出来，从而得到导电桥式阻变存储器件； 步骤8：将限制电流的偏置电路与制作出来的导电桥式阻变存储器件进行连接，从而限制流过导电桥式阻变存储器的电流；所述限制电流的偏执电路为单个场效应晶体管组成的限流电路或为多个场效应晶体管组成的限流电路。
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