日月光半导体制造股份有限公司廖国成获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体装置封装及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111081651B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910988197.7,技术领域涉及:H01L23/31;该发明授权半导体装置封装及其制造方法是由廖国成;丁一权设计研发完成,并于2019-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置封装及其制造方法在说明书摘要公布了:一种封装衬底包含第一介电层、第一图案化导电层及第一组对准标记。所述第一图案化导电层安置在所述第一介电层上。所述第一组对准标记安置在所述第一介电层上且邻近所述第一介电层的第一边缘。所述第一组对准标记包含多个对准标记。所述第一组对准标记中的所述对准标记与所述第一边缘之间的距离彼此不同。
本发明授权半导体装置封装及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种封装衬底,其包括: 第一介电层; 第一图案化导电层,其安置在所述第一介电层上;及 第一组对准标记,其安置在所述第一介电层上且邻近所述第一介电层的第一边缘,所述第一组对准标记包含多个对准标记,其中所述第一组对准标记中的所述多个对准标记与所述第一边缘之间的距离彼此不同; 第二介电层,其安置在所述第一介电层上且覆盖所述第一图案化导电层; 第二图案化导电层,其安置在所述第二介电层上;及 第二组对准标记,其安置在所述第二介电层上且邻近所述第二介电层的第二边缘,所述第二组对准标记包含多个对准标记,其中所述第二组对准标记中的所述多个对准标记与所述第二边缘之间的距离彼此不同。
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