三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团金真范获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109980012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811462559.0，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件是由金真范;金文铉;金亨燮;朴台镇;李宽钦;卢昶佑;玛丽亚·托莱达诺卢克;朴洪培;李始炯;黄成万设计研发完成，并于2018-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：衬底；衬底上的栅电极；栅电极的侧壁上的栅极间隔物；穿透栅电极和栅极间隔物的有源图案；以及外延图案，与有源图案和栅极间隔物接触。栅电极在第一方向上延伸。栅极间隔物包括半导体材料层。有源图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 所述衬底上的栅电极，所述栅电极在第一方向上延伸； 所述栅电极的侧壁上的栅极间隔物，所述栅极间隔物包括半导体材料层； 穿透所述栅电极和所述栅极间隔物的有源图案，所述有源图案在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及 外延图案，与所述有源图案和所述栅极间隔物接触， 其中，所述栅极间隔物与所述栅电极相邻的侧壁具有凸弯曲形状， 其中，所述外延图案包括第一杂质，并且 所述栅极间隔物的半导体材料层包括与所述第一杂质不同导电类型的第二杂质。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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