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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109860187B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811297815.5，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构是由A·W·杨;T·加尼;A·马德哈范;M·L·哈藤多夫;C·P·奥特设计研发完成，并于2018-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构在说明书摘要公布了：本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物之上的第一和第二栅极电介质层。第一和第二栅极电极分别在第一和第二栅极电介质层之上，第一和第二栅极电极都具有带顶表面的绝缘帽。第一电介质间隔体与第一栅极电极的第一侧相邻。沟槽接触结构在与第一和第二电介质间隔体相邻的半导体源极或漏极区之上，沟槽接触结构包括导电结构上的绝缘帽，沟槽接触结构的绝缘帽具有与第一和第二栅极电极的绝缘帽大体上共面的顶表面。

本发明授权用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有顶部和侧壁； 在所述鳍状物的顶部之上并与所述鳍状物的侧壁横向相邻的第一栅极电介质层和第二栅极电介质层； 第一栅极电极和第二栅极电极，分别在处于所述鳍状物的顶部之上并与所述鳍状物的侧壁横向相邻的所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层之上，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极都具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，并且都具有绝缘帽，所述绝缘帽具有顶表面； 与所述第一栅极电极的第一侧相邻的第一电介质间隔体； 与所述第二栅极电极的第二侧相邻的第二电介质间隔体； 与所述第一电介质间隔体和所述第二电介质间隔体相邻的半导体源极或漏极区； 在与所述第一电介质间隔体和所述第二电介质间隔体相邻的所述半导体源极或漏极区之上的沟槽接触结构，所述沟槽接触结构包括导电结构上的绝缘帽，所述沟槽接触结构的绝缘帽具有与所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的绝缘帽共面的顶表面，并且所述沟槽接触结构的绝缘帽横向延伸到所述第一电介质间隔体和所述第二电介质间隔体中的凹陷中并悬置于所述沟槽接触结构的所述导电结构上方。

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