HOYA株式会社谷口和丈获国家专利权
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龙图腾网获悉HOYA株式会社申请的专利掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115933308B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310002958.3，技术领域涉及：G03F1/54；该发明授权掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法是由谷口和丈;宍户博明设计研发完成，并于2018-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种掩模坯料100，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜2具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板1上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式1、式2和式3所限定的关系，n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式1，n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式2，n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式3。
本发明授权掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模坯料，在透光性基板上具备遮光膜，其特征在于， 所述遮光膜是利用由硅和氮构成的材料形成的单层膜，或者是利用由选自半金属元素及非金属元素中的一种以上的元素、硅及氮构成的材料形成的单层膜， 所述遮光膜对于ArF准分子激光的曝光用光的光学浓度为3.0以上， 所述遮光膜的衰减系数k为2.6以下， 所述遮光膜的折射率n为0.8以上， 所述遮光膜对于所述曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式1、式2和式3所限定的关系， n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式1， n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式2， n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式3。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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