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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利结势垒肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358757B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510842357.2，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权结势垒肖特基二极管是由金锐;李翠;葛念念;郝夏敏;洪欣迪;和峰;李哲洋;崔翔设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本结势垒肖特基二极管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种结势垒肖特基二极管，包括：半导体基体，包括层叠设置的衬底层和外延层，外延层具有第一表面；多个间隔设置的第一掺杂区，每个第一掺杂区位于外延层中，相邻两个第一掺杂区之间的外延层为外延部，外延部对应的第一表面包括预定区域，预定区域包括顺序邻接的第一区域、第二区域和第三区域；势垒结构，包括覆盖第一区域的第一肖特基接触部或绝缘介质层、覆盖第二区域的第二肖特基接触部和覆盖第三区域的第三肖特基接触部；第一区域处的势垒结构的势垒高度分别高于第二区域处的势垒结构的势垒高度和第三区域处的势垒结构的势垒高度。通过本申请，解决了现有技术中的结势垒肖特基二极管由于PN结的加入导致其导通较差的问题。

本发明授权结势垒肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.一种结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括： 半导体基体，包括层叠设置的衬底层和外延层，所述外延层背离所述衬底层的一侧表面为所述半导体基体的第一表面； 沿着第一方向间隔设置的多个第一掺杂区，每个所述第一掺杂区自所述第一表面延伸至所述外延层中，所述第一掺杂区和所述外延层的掺杂类型相反，相邻两个所述第一掺杂区之间的外延层为外延部，所述外延部对应的所述第一表面包括预定区域，所述预定区域包括第一区域、第二区域和第三区域，其中，所述第二区域和所述第三区域在所述第一方向上位于所述第一区域的相对两侧； 势垒结构，包括覆盖所述第一区域的第一肖特基金属部或绝缘介质层、覆盖所述第二区域的第二肖特基金属部以及覆盖所述第三区域的第三肖特基金属部； 在所述势垒结构包括第一肖特基金属部的情况下，所述第一肖特基金属部与所述外延部之间的势垒高度分别高于所述第二肖特基金属部与所述外延部之间的势垒高度和所述第三肖特基金属部与所述外延部之间的势垒高度； 在所述势垒结构包括所述绝缘介质层的情况下，所述绝缘介质层材料与所述外延部之间的势垒高度分别高于所述第二肖特基金属部与所述外延部之间的势垒高度和所述第三肖特基金属部与所述外延部之间的势垒高度。

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