粤芯半导体技术股份有限公司欧阳文森获国家专利权
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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种锗外延工艺的监控方法及锗外延晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120376443B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510820427.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种锗外延工艺的监控方法及锗外延晶圆是由欧阳文森;王胜林设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锗外延工艺的监控方法及锗外延晶圆在说明书摘要公布了：本申请提供了一种锗外延工艺的监控方法及锗外延晶圆，方法包括：提供一硅衬底；在所述硅衬底上形成需求阻挡膜层；按照预设图案，刻蚀出贯穿所述需求阻挡膜层并侵入所述硅衬底的凹槽；所述预设图案为正方形；在所述凹槽内生长锗外延层；通过配备有光学显微镜的机台采集凹槽底部的监控图像，并通过所述监控图像判断锗外延工艺过程中所述凹槽底部的平整度。通过设计一结构图案并按照该结构图案对晶圆进行刻蚀，该结构图案能够有效表现刻蚀出的凹槽的底部情况，使得凹槽的底部平整度能够在光学显微镜下被有效观察到；这样，无需切片处理，通过光学显微镜即能够及时地对凹槽的底部平整度进行监控，节约时间和成本。
本发明授权一种锗外延工艺的监控方法及锗外延晶圆在权利要求书中公布了：1.一种锗外延工艺的监控方法，其特征在于，所述监控方法包括： 提供一硅衬底； 在所述硅衬底上形成需求阻挡膜层； 按照预设图案，刻蚀出贯穿所述需求阻挡膜层并侵入所述硅衬底的凹槽；所述预设图案为正方形； 在所述凹槽内生长锗外延层； 通过配备有光学显微镜的机台采集凹槽底部的监控图像，并通过所述监控图像判断锗外延工艺过程中所述凹槽底部的平整度； 所述预设图案的边长范围为80-100um； 所述需求阻挡膜层包括第一阻挡膜层和第二阻挡膜层；所述第二阻挡膜层位于所述第一阻挡膜层之上；所述第一阻挡膜层的材料为热氧化制程氧化硅；所述第二阻挡膜层的材料为HDP氧化硅； 通过所述监控图像判断锗外延工艺过程中所述凹槽底部的平整度，包括： 通过所述监控图像，由人工或图像处理算法判断所述凹槽底部的平整度；其中，不平整位置在所述监控图像表现为存在色差的异常点。
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