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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种碳化硅MOSFET器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358780B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510796471.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种碳化硅MOSFET器件及电子设备是由冯思睿;支海朝;林新鹏;江春玉;胡浩林;王晓萍;万玉喜设计研发完成，并于2025-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MOSFET器件及电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供的一种碳化硅MOSFET器件及电子设备，使用大倾角的N+型4H‑SiC衬底作为外延衬底，可以实现常规外延生长N‑型4H‑SiC漂移层，通过对N‑型4H‑SiC漂移层刻蚀周期性凹槽，再进行N型4H‑SiCJFET层的生长，该生长过程中凹槽诱导4°倾角N型4H‑SiCJFET层表面的原子台阶合并形成大面积的原子台阶束，从而在N型4H‑SiCJFET层表面得到大面积的（0001）晶面，在（0001）晶面上可以生长出高质量的N型3C‑SiC沟道层，最后把多余的原子台阶束磨平，得到具有高迁移率N型3C‑SiC沟道层、高耐压N型4H‑SiCJFET层和N‑型4H‑SiC漂移层的器件。

本发明授权一种碳化硅MOSFET器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括元胞结构，所述元胞结构包括： N+型4H-SiC衬底，所述N+型4H-SiC衬底的[11-20]晶轴与其厚度方向的第一夹角为80~89°； N-型4H-SiC漂移层，位于所述N+型4H-SiC衬底的一侧，所述N-型4H-SiC漂移层远离所述N+型4H-SiC衬底的表面具有周期性排列的凹槽，所述N+型4H-SiC衬底的[11-20]晶轴与所述N-型4H-SiC漂移层和所述N+型4H-SiC衬底界面之间的第二夹角为1~10°； N型4H-SiCJFET层，位于所述N-型4H-SiC漂移层远离所述N+型4H-SiC衬底的一侧，所述N型4H-SiCJFET层靠近所述N+型4H-SiC衬底的一侧填充所述凹槽，所述N型4H-SiCJFET层远离所述N+型4H-SiC衬底的表面包括多个（0001）晶面； N型3C-SiC沟道层，位于所述N型4H-SiCJFET层远离所述N+型4H-SiC衬底的一侧，所述N型3C-SiC沟道层远离所述N+型4H-SiC衬底的表面为平坦表面。

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