青岛思锐智能科技股份有限公司徐伟东获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛思锐智能科技股份有限公司申请的专利一种低晶格失配MISHEMT界面缓冲层及其制备方法和含有其的MISHEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302673B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510781519.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种低晶格失配MISHEMT界面缓冲层及其制备方法和含有其的MISHEMT器件是由徐伟东;翟洪涛;聂鑫誉;国政;张丛;刘伟;徐清源;张树宁设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低晶格失配MISHEMT界面缓冲层及其制备方法和含有其的MISHEMT器件在说明书摘要公布了：本发明公开的一种低晶格失配MISHEMT界面缓冲层及其制备方法和含有其的MISHEMT器件，涉及半导体技术领域；界面缓冲层设置在栅介电层之下，界面缓冲层包括：第一AlGaN层；第二AlGaN层，第二AlGaN层沉积在所述第一AlGaN层的上表面；第三AlGaN层，第三AlGaN层沉积在第二AlGaN层的上表面；AlN层，所述AlN层沉积在所述第三AlGaN层和所述栅介电层之间；所述第一AlGaN层、所述第二AlGaN层和所述第三AlGaN层中Al的含量依次增加。本发明提供的界面缓冲层中各相邻材料之间的晶格失配度大幅降低，总体晶格失配度远小于2.4%，且可有效减少能级排布突变引起的深能级缺陷。
本发明授权一种低晶格失配MISHEMT界面缓冲层及其制备方法和含有其的MISHEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种含有低晶格失配MISHEMT界面缓冲层的MISHEMT器件，其特征在于，所述器件包括由下至上依次设置的外延衬底层、外延缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，以及设置在所述AlGaN势垒层上的源电极、漏电极和p-GaN层，所述源电极和所述漏电极分别位于所述p-GaN层的左右两侧，所述p-GaN层上设置有界面缓冲层，所述界面缓冲层上表面设置栅介电层，所述栅介电层上设置栅电极；所述界面缓冲层设置在栅介电层之下，所述界面缓冲层包括： 第一AlGaN层； 第二AlGaN层，所述第二AlGaN层沉积在所述第一AlGaN层的上表面； 第三AlGaN层，所述第三AlGaN层沉积在所述第二AlGaN层的上表面； AlN层，所述AlN层沉积在所述第三AlGaN层和所述栅介电层之间； 所述第一AlGaN层、所述第二AlGaN层和所述第三AlGaN层中Al的含量依次增加。
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