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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种低驱动电压沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120282481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510757256.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种低驱动电压沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法是由胡臻;何佳;陈彤;周海设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低驱动电压沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低驱动电压沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成掩蔽层、P型阱区、P型基区、P型源区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层至N型源区上侧面，淀积金属，形成源极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层至掩蔽层上侧面，淀积，形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀绝缘介质层形成沟槽，淀积金属，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制备，降低器件驱动电压，降低器件驱动损耗。提高器件可靠性。

本发明授权一种低驱动电压沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法在权利要求书中公布了：1.种低驱动电压沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层上设有凸起部，所述凸起部内设有凹槽； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面，且所述P型阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面； P型基区，所述P型基区下侧面连接至所述P型阱区上侧面，所述P型基区内侧面连接至所述凸起部外侧面； P型源区，所述P型源区下侧面连接至所述P型基区上侧面； N型源区，所述N型源区下侧面连接至所述P型基区上侧面，所述N型源区外侧面连接至所述P型源区内侧面，所述N型源区内侧面连接至所述凸起部外侧面； 掩蔽层，所述掩蔽层设于所述凹槽内； 绝缘介质层，所述绝缘介质层设于所述凹槽内，且所述绝缘介质层下侧面连接至所述掩蔽层上侧面；所述绝缘介质层突出于所述凹槽，所述绝缘介质层内设有沟槽； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述凸起部上侧面、P型源区上侧面以及N型源区上侧面； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面； N型源区、高掺杂的P型基区以及低掺杂的P型阱区与绝缘介质层均没有直接连接，中间间隔漂移层。

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