深圳大学易虹羽获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种常压化学气相沉积制备氧化硅绝缘层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120280342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510748462.X，技术领域涉及：H01L21/316；该发明授权一种常压化学气相沉积制备氧化硅绝缘层的方法是由易虹羽;王定官;朱建宇;高承毅;何家源;聂东;陈建业设计研发完成，并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种常压化学气相沉积制备氧化硅绝缘层的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种常压化学气相沉积制备氧化硅绝缘层的方法，包括：步骤S10，在硅基板上利用光刻胶作为掩模板，刻蚀出具有一定深宽比的盲孔；其中，所述一定深宽比的盲孔可以设置为不同的深宽比的多种盲孔；步骤S20，在氧气中通入去离子水进行加湿处理，随后将湿润氧气导入CVD反应腔，所述CVD腔体的气压为大气压强，加热CVD，升温至1000℃，保温3～5h，使硅基板与湿氧充分反应，自然冷却至室温后取出。采用本发明的技术方案，生长步骤简单，需要的反应物以及设备条件简单，以硅基板本身、氧气和水作为反应物，能在盲孔侧壁生成均匀性和质量良好的氧化硅绝缘层，保证TSV器件拥有良好的绝缘特性。
本发明授权一种常压化学气相沉积制备氧化硅绝缘层的方法在权利要求书中公布了：1.一种常压化学气相沉积制备氧化硅绝缘层的方法，其特征在于，包括： 步骤S10，在硅基板上利用光刻胶作为掩模板，刻蚀出具有一定深宽比的盲孔；其中，所述一定深宽比的盲孔设置为不同的深宽比的多种盲孔； 步骤S20，在氧气中通入去离子水进行加湿处理，随后将湿润氧气导入CVD反应腔，所述CVD反应腔的气压为大气压强，加热CVD，升温至900-1100℃，保温3～5h，使硅基板与湿氧充分反应，自然冷却至室温后取出；步骤S20中，加热CVD时，先以20-30℃min的升温速度加热至700℃，然后以5-15℃min的升温速度加热至1000℃； 步骤S20中，由氧气瓶提供氧气，在氧气瓶和CVD之间连接防倒吸油泡器，所述防倒吸油泡器中有去离子水，氧气在进入CVD之前先进入防倒吸油泡器中湿润； 步骤S20中，所述氧气流量为280-320sccm。
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