芯联集成电路制造股份有限公司鲁列微获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利MEMS器件的制备方法及MEMS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120246920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510735452.2，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权MEMS器件的制备方法及MEMS器件是由鲁列微设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS器件的制备方法及MEMS器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种MEMS器件的制备方法及MEMS器件，包括：衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一振膜，位于第一表面侧，包括第一可动区域和第一固定区域；第一凸起结构，位于第一振膜的远离衬底的一侧且连接第一可动区域上，第一凸起结构的横截面面积沿第一方向减小，横截面为平行于第一表面的平面，第一方向为第二表面至第一表面的方向；第一凸起结构的材料包括SiN，沿第一方向第一凸起结构中的Si含量降低且N含量增加；第一支撑结构，位于第一振膜的远离衬底的一侧且连接于第一固定区域上；背极板，位于第一支撑结构的远离第一振膜的一侧；其中，在第一方向上，第一凸起结构的投影落入背极板的投影范围内；如此，提高器件的可靠性。
本发明授权MEMS器件的制备方法及MEMS器件在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件，其特征在于，包括： 衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面； 第一振膜，位于所述第一表面侧，所述第一振膜包括第一可动区域和位于所述第一可动区域外周的第一固定区域； 第一凸起结构，位于所述第一振膜的远离所述衬底的一侧且连接所述第一可动区域上，所述第一凸起结构的横截面面积沿第一方向减小，所述横截面为平行于所述第一表面的平面，所述第一方向为所述第二表面至所述第一表面的方向；所述第一凸起结构的材料包括SiN，沿所述第一方向所述第一凸起结构中的Si含量降低且N含量增加； 第一支撑结构，位于所述第一振膜的远离所述衬底的一侧且连接于所述第一固定区域上； 背极板，位于所述第一支撑结构的远离所述第一振膜的一侧；其中，在所述第一方向上，所述第一凸起结构的投影落入所述背极板的投影范围内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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