上海新微技术研发中心有限公司冯俊伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利一种存储单元和存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120236628B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510725100.9，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权一种存储单元和存储器件是由冯俊伟;许贞设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储单元和存储器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种存储单元和存储器件，存储单元包括依次堆叠的第一半导体结构、低阻硅合金化物和第二半导体结构；第一半导体结构和第二半导体结构相互交叉设置，且具有的多数载流子类型不同；低阻硅合金化物设置于第一半导体结构和第二半导体结构的交叉点处，分别连接两者，并形成PN结结构；存储单元可根据PN结结构的截止状态和导通状态读写数据。本发明是一种独特的器件结构，可利用PN结特性实现数据的读写，其能够随着逻辑工艺同步微缩单元器件，单元尺寸可以做到4F2，极大提升现有静态存储器的存储容量。当器件操作时，可以结合PN结特性控制器件的读写。单元漏电控制充分利用PN结反向截止特性，进一步降低功耗。
本发明授权一种存储单元和存储器件在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括依次堆叠的第一半导体结构、低阻硅合金化物和第二半导体结构； 所述第一半导体结构和第二半导体结构相互交叉设置，所述第一半导体结构和第二半导体结构的多数载流子类型不同； 所述低阻硅合金化物设置于所述第一半导体结构和第二半导体结构的交叉点处，分别连接所述第一半导体结构和第二半导体结构，并形成PN结结构； 所述存储单元被配置成：可根据所述PN结结构的截止状态和导通状态用于代表不同数据值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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