华中科技大学耿建昭获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种超导磁体失超保护方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120261104B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510725825.8，技术领域涉及：H01F6/00；该发明授权一种超导磁体失超保护方法及装置是由耿建昭;胡长昊;林毅;许琪;汪瑞祥设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超导磁体失超保护方法及装置在说明书摘要公布了：本申请属于超导磁体领域，具体公开了一种超导磁体失超保护方法及装置，方法包括：当超导磁体失超时，向超导磁体施加预设幅值预设频率的交变磁场，使得所述超导磁体能量损耗增加、临界电流下降和或温度上升，加快超导磁体的整体失超传播，实现对所述超导磁体的失超保护；所述交变磁场作用在超导磁体径向方向的分量相对较大。通过本申请，在对超导磁体失超保护中可以以较高的效率实现失超后常导区域的传播，拥有较高的失超保护的可靠性。
本发明授权一种超导磁体失超保护方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种超导磁体失超保护方法，其特征在于，包括： 当超导磁体失超时，向超导磁体施加预设幅值预设频率的交变磁场，使得所述超导磁体能量损耗增加、临界电流下降和或温度上升，加快超导磁体的整体失超传播；所述交变磁场作用在超导磁体径向方向的分量相对较大； 所述交变磁场通过通电线圈产生，沿着所述超导磁体轴向方向所述通电线圈中相邻匝线圈的通电电流方向相反；所述通电线圈与超导磁体同轴设置和或与超导磁体同轴共绕。
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