深圳平湖实验室查显弧获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及其制备方法以及外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239310B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510710232.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体器件及其制备方法以及外延片是由查显弧;张道华;杨茂谨;万玉喜;刘妍;焦腾;陈嘉祥设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法以及外延片在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体领域，公开一种半导体器件及其制备方法以及外延片。该半导体器件包括衬底和设于衬底表面的p型半导体薄膜。该p型半导体薄膜的化学式为β‑MzRhxGa1‑x‑z2yO3，M为掺杂金属元素，M的受主能级小于等于0.55eV；其中：x的取值范围为0.125≤x≤0.5，y的取值范围为0.9≤y≤1.1，z的取值范围为0＜z≤0.03。以获得一种p型β‑Ga2O3材料的半导体器件，提高半导体器件的性能。
本发明授权半导体器件及其制备方法以及外延片在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底和设于所述衬底表面的p型半导体薄膜； 所述p型半导体薄膜的化学式为β-MzRhxGa1-x-z2yO3，所述M为掺杂金属元素，所述M的受主能级小于等于0.55eV； 其中：x的取值范围为0.125≤x≤0.5，y的取值范围为0.9≤y≤1.1，z的取值范围为0z≤0.03。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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