苏州山河光电科技有限公司傅江华获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州山河光电科技有限公司申请的专利图像传感器的制造方法及图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120224803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510697278.7，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权图像传感器的制造方法及图像传感器是由傅江华;史坦;延宇豪;邱山峰;邱兵设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器的制造方法及图像传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种图像传感器的制造方法及图像传感器，图像传感器的制造方法，包括如下步骤：提供光电传感装置，所述光电传感装置包括光电芯片、用于承载光电芯片的基板以及电性连接于光电芯片的焊盘；于基板的入光侧沉积纳米结构层，对纳米结构层进行第一次刻蚀后，以使纳米结构层至少覆盖于光电芯片的入光侧；对纳米结构层进行第二次刻蚀后，在光电芯片的入光侧形成超表面；通过在基板的入光侧沉积纳米结构层，并对纳米结构层进行两次刻蚀，以完成超表面的制作，从而无需在由光刻胶层所形成的窗口内进行纳米结构层的沉积，解除沉积的工艺温度所受到的限制，避免纳米结构层的材料选择受到限制。
本发明授权图像传感器的制造方法及图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供光电传感装置，所述光电传感装置包括光电芯片、用于承载光电芯片的基板以及电性连接于光电芯片的焊盘； 于基板的入光侧沉积纳米结构层； 在纳米结构层上形成第一光刻胶层； 对第一光刻胶层进行曝光显影，以形成图案化的第一光刻胶层，所述光电芯片在基板上的投影与图案化的第一光刻胶层在基板上的投影互补； 在图案化的第一光刻胶层上形成第一掩膜层； 剥离第一光刻胶层，以形成纳米结构层端面上的第一掩膜层； 对纳米结构层进行第一次刻蚀，以使纳米结构层至少覆盖于光电芯片的入光侧； 利用酸性溶剂去除位于纳米结构层端面上的第一掩膜层； 对纳米结构层进行第二次刻蚀后，在光电芯片的入光侧形成超表面。
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