合肥晶合集成电路股份有限公司李涛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利用于制作电子器件的方法及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510674970.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权用于制作电子器件的方法及电子器件是由李涛;蔡宗佐;许玉威;高志杰设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制作电子器件的方法及电子器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于制作电子器件的方法及电子器件，一般涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在晶圆的制造区域沉积具有负泊松比材料的应力层；对晶圆进行退火；以及去除晶圆的制造区域的应力层。根据本发明所公开的用于制作电子器件的方法，通过在应力记忆技术中使用负泊松比材料作为应力层，使得应力层晶体因受到栅电极层的热膨胀而发生的形变可以同时在横向、纵向保持拉伸状态，从而提升沟道中载流子的迁移率。
本发明授权用于制作电子器件的方法及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种用于制作电子器件的方法，其特征在于，包括： 在晶圆的制造区域沉积具有负泊松比材料的应力层； 对所述晶圆进行退火；以及 去除所述晶圆的制造区域的所述应力层； 所述负泊松比材料包括：SiS2；在密闭二氧化硅管中，控制硅和硫在第一反应条件下进行反应以制备所述SiS2；在退火过程中，半导体场效应晶体管的栅电极层发生热膨胀，引起应力层中的负泊松比材料发生形变。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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