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龙图腾网获悉南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种改善抗静电能力的LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187166B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510661010.8，技术领域涉及：H10H20/824；该发明授权一种改善抗静电能力的LED外延片及其制备方法是由王苏杰;林晓珊;杨祺设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善抗静电能力的LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种改善抗静电能力的LED外延片及其制备方法。该LED外延片由下往上依次包括GaAs衬底、二次成核层、缓冲层、N型限制层、N型高频势垒电容区、多量子阱有源层、P型高频势垒电容区、P型限制层、P型过渡层、P型窗口层；二次成核层是由GaAs衬底的表面自缺陷层处理后留下的Ga原子与外源气体AsH3中的As原子结合原位二次成核形成的GaAs单晶层。本发明通过对GaAs衬底进行衬底表面自缺陷层处理，并采用衬底表面Ga断裂键与As原子二次成核的方法，形成完整无缺陷的GaAs表面层，有效避免由于衬底晶体缺陷在外延生长过程中的增生形成漏电通道，提升了抗静电性能。

本发明授权一种改善抗静电能力的LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善抗静电能力的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片由下往上依次包括GaAs衬底、二次成核层、缓冲层、N型限制层、N型高频势垒电容区、多量子阱有源层、P型高频势垒电容区、P型限制层、P型过渡层、P型窗口层； 所述二次成核层是由所述GaAs衬底的表面自缺陷层处理后留下的Ga原子与外源气体AsH3中的As原子结合原位二次成核形成的GaAs单晶层； 所述自缺陷层处理的方式为：设定反应室的起始压力为10mbar，反应室温度设定为780℃～800℃，在GaAs衬底表面通入H2与N2的混合气体，H2的流量设定为15000sccm～20000sccm，N2的流量设定为1500sccm～2000sccm，反应室的压力从通入混合气体开始，从10mbar渐变至50mbar，压力渐变的速率为5mbarmin～10mbarmin，变压的时间为5min～8min； 所述原位二次成核的方式为：当自缺陷层处理的反应室压力达到50mbar后，关闭N2的通入，维持反应室压力稳定在50mbar，同时通入流量为300sccm～500sccm的AsH3气体，通入的时间为3min～5min； 所述N型高频势垒电容区和P型高频势垒电容区的材料均是Al0.5In0.5PAlx1Ga1-x10.5In0.5P交替生长的周期性结构，周期性结构的对数为5对～10对，每个周期性结构中，Al0.5In0.5P层的厚度为12nm～18nm，Alx1Ga1-x10.5In0.5P层的厚度均为20nm～30nm，其中x1的取值范围为0.1～0.3。

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