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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种高纯度多孔碳化钽陶瓷及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120136575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510633767.6，技术领域涉及：C04B41/87；该发明授权一种高纯度多孔碳化钽陶瓷及其制备方法与应用是由王丽焕;冯翔宇;徐现刚;张建设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高纯度多孔碳化钽陶瓷及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于超高温陶瓷材料技术领域，公开了一种高纯度多孔碳化钽陶瓷及其制备方法与应用，将多孔石墨基底水平置于垂直气相沉积腔室中，对腔室抽真空后，通入氩气，将反应气压充压至10‑100mbar，加热石墨基底至钽元素的沉积温度；将无机钽盐和氢气输送至腔室中，实现第一区域的钽元素沉积；向反应腔室中通入氩气，对反应气压充压，将无机钽盐的载气流量提高，将钽元素的沉积温度提高，实现第二区域的钽元素沉积，并重复该过程实现钽元素在多孔石墨基底上的自内向外依次沉积；钽元素沉积完毕后，将高纯多孔石墨基底加热，反应得到碳化钽，通过调整反应条件，使反应气流在多孔材料的不同深度逐步渗透，并将Ta均匀沉积在不同的位置。

本发明授权一种高纯度多孔碳化钽陶瓷及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种高纯度多孔碳化钽陶瓷的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 将高纯多孔石墨基底清洗、干燥；所述高纯多孔石墨基底的厚度为1-10mm，孔隙率为5-50%； 将洁净的高纯多孔石墨基底水平置于垂直气相沉积腔室中，对腔室抽真空后，通入氩气，将反应气压充压至10-100mbar，加热高纯多孔石墨基底至钽元素的沉积温度；所述钽元素的沉积温度为700-1300℃； 采用氩气作为载气，将无机钽盐和氢气输送至腔室中，保持0.5-5h，实现第一区域的钽元素沉积；无机钽盐载气、反应气载气和氢气的初始流量比为1.8-2.2:3.8-4.2:1； 向反应腔室中通入氩气，对反应气压充压10-50mbar，将无机钽盐的载气流量提高10-100sccm，将钽元素的沉积温度提高10-50℃，其他同第一区域的钽元素沉积过程，实现第二区域的钽元素沉积，并重复该过程实现钽元素在多孔石墨基底上的自内向外依次沉积； 钽元素沉积完毕后，将高纯多孔石墨基底加热至1000-1800℃，反应得到碳化钽多孔陶瓷。

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