长鑫新桥存储技术有限公司宣锋获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫新桥存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120224764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510600806.2，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体结构及其形成方法是由宣锋;金星;陈洋;李昇设计研发完成，并于2025-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，至少有利于提高对顶栅结构的隔离性能。半导体结构包括：半导体基底，以及位于半导体基底上的顶栅结构；隔离结构，环绕设置于顶栅结构的侧壁；隔离结构包括：第一保护层、第一隔离层、第二保护层和第二隔离层，其中，第一保护层环绕设置于顶栅结构的侧壁；第一隔离层环绕设置于第一保护层远离顶栅结构的一侧侧壁；第二保护层环绕设置于第一隔离层远离第一保护层的一侧侧壁，并覆盖顶栅结构的顶部；第二隔离层环绕设置于第二保护层远离第一隔离层的一侧侧壁，在垂直于半导体基底顶部表面的方向上，第二隔离层的高度低于顶栅结构的高度；第三保护层，覆盖第二保护层的顶部和第二隔离层的顶部。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体基底，以及位于所述半导体基底上的顶栅结构； 隔离结构，环绕设置于所述顶栅结构的侧壁； 所述隔离结构包括：第一保护层、第一隔离层、第二保护层和第二隔离层，其中，所述第一保护层环绕设置于所述顶栅结构的侧壁；所述第一隔离层环绕设置于所述第一保护层远离所述顶栅结构的一侧侧壁；所述第二保护层环绕设置于所述第一隔离层远离所述第一保护层的一侧侧壁，并覆盖所述顶栅结构的顶部；所述第二隔离层环绕设置于所述第二保护层远离所述第一隔离层的一侧侧壁，在垂直于所述半导体基底顶部表面的方向上，所述第二隔离层的高度低于所述顶栅结构的高度； 第三保护层，仅覆盖所述第二保护层的顶部和所述第二隔离层的顶部，且填充所述第二隔离层与所述顶栅结构之间的高度差，并暴露出所述第二隔离层远离所述第二保护层一侧的侧壁。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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