成都市元视芯智能科技有限公司;深圳市元视芯智能科技有限公司罗凯获国家专利权
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龙图腾网获悉成都市元视芯智能科技有限公司;深圳市元视芯智能科技有限公司申请的专利一种图像传感用读出电路、读出系统及固态成像设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120111385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510451237.X,技术领域涉及:H04N25/78;该发明授权一种图像传感用读出电路、读出系统及固态成像设备是由罗凯;郑健华;王从华设计研发完成,并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图像传感用读出电路、读出系统及固态成像设备在说明书摘要公布了:本发明公开了一种图像传感用读出电路、读出系统及固态成像设备,涉及图像传感读出技术领域,包括像素阵列单元,所述像素阵列单元用于光电信号转换;电流镜电路单元;其中,所述电流镜电路单元包括:共源共栅电流镜或两个N沟道场效应晶体管;负阻抗变换单元;充放电加速单元。本发明通过利用负阻抗变换单元和充放电加速单元,利用负阻抗变换单元产生负阻抗与影响VSL建立速度的寄生阻抗进行抵消,以实现加速小信号建立速度;利用充放电加速单元选择性的配合VSL下降建立过程或上升建立过程中提供充放电电流,以实现加速大信号建立速度。即本申请中能够针对于VSL下降建立过程或上升建立过程进行相应响应配合。
本发明授权一种图像传感用读出电路、读出系统及固态成像设备在权利要求书中公布了:1.一种图像传感用读出电路,其特征在于,包括: 像素阵列单元,所述像素阵列单元用于光电信号转换; 电流镜电路单元,所述电流镜电路单元与所述像素阵列单元电性相连,所述电流镜电路单元用于提供偏置电流; 其中,所述电流镜电路单元包括:共源共栅电流镜或两个N沟道场效应晶体管; 负阻抗变换单元,所述负阻抗变换单元与所述电流镜电路单元电性连接,所述负阻抗变换单元用于产生负阻抗,与VSL本身寄生阻抗相抵消; 充放电加速单元,所述充放电加速单元用于在VSL下降建立过程或上升建立过程中提供充放电电流; 所述充放电加速单元包括: 上升电压-电流变换电路,所述上升电压-电流变换电路的一端连接有漏极电源电压,所述上升电压-电流变换电路用于进行VSL上升建立过程的电压-电流变换; 下降电压-电流变换电路,所述下降电压-电流变换电路用于进行VSL下降建立过程的电压-电流变换; 开关电路,所述开关电路分别与所述上升电压-电流变换电路、下降电压-电流变换电路电性连接,所述开关电路用于选择连通上升电压-电流变换电路和下降电压-电流变换电路; 所述下降电压-电流变换电路包括: 第一P沟道场效应晶体管,所述第一P沟道场效应晶体管一端连接有漏极电源电压,所述第一P沟道场效应晶体管用于提供电流源; 第二P沟道场效应晶体管,所述第二P沟道场效应晶体管一端也连接有漏极电源电压,所述第二P沟道场效应晶体管用于提供偏置电流; 电容,所述电容设置于第二P沟道场效应晶体管的一侧,所述电容与第二P沟道场效应晶体管电性连接,所述电容为第二P沟道场效应晶体管的旁路电容; 第三P沟道场效应晶体管,所述第三P沟道场效应晶体管的栅极连接有垂直信号线信号输出节点,所述第三P沟道场效应晶体管的源极与第二P沟道场效应晶体管相连; 第一N沟道场效应晶体管,所述第一N沟道场效应晶体管与所述第二P沟道场效应晶体管相连,所述第一N沟道场效应晶体管与所述第三P沟道场效应晶体管漏极相连; 第二N沟道场效应晶体管,所述第二N沟道场效应晶体管与所述第一N沟道场效应晶体管组成电流镜; 所述上升电压-电流变换电路包括: 第五N沟道场效应晶体管,所述第五N沟道场效应晶体管用于电压-电流转换; 第六N沟道场效应晶体管,所述第六N沟道场效应晶体管与所述第五N沟道场效应晶体管电性连接,所述第六N沟道场效应晶体管的栅极连接有偏置电压,所述第六N沟道场效应晶体管用作于第五N沟道场效应晶体管的偏置电流源; 第四P沟道场效应晶体管,所述第四P沟道场效应晶体管与所述第五N沟道场效应晶体管电性连接; 第五P沟道场效应晶体管,所述第五P沟道场效应晶体管与所述第四P沟道场效应晶体管电性连接,所述第五P沟道场效应晶体管与所述第四P沟道场效应晶体管组成电流镜; 第七N沟道场效应晶体管,所述第七N沟道场效应晶体管与所述第五P沟道场效应晶体管电性连接,所述第七N沟道场效应晶体管的栅极连接有偏置电压,所述第七N沟道场效应晶体管用于所述第五P沟道场效应晶体管的偏置电流源; 第二电容,所述第二电容与所述第五N沟道场效应晶体管电性连接,所述第二电容用于第五N沟道场效应晶体管的旁路电容。
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