上海积塔半导体有限公司胡林辉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利LDMOS器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510437217.7，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOS器件及其形成方法是由胡林辉;张文剑;仇峰;张蔷设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本LDMOS器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种LDMOS器件及其形成方法。所述LDMOS器件包括：衬底，包括沿第一方向相对分布的正面和背面；体区，位于衬底内，体区内具有沟槽；源极区，位于体区内，且源极区分布于沟槽的侧壁上和沟槽的底面上，源极区包括位于沟槽的底面上的体区接触区和环绕体区接触区的外周分布的源极掺杂区，源极掺杂区呈弯折形状且连续分布于沟槽的侧壁上和沟槽的部分底面上；漂移区，位于衬底内，且漂移区沿第二方向分布于所述体区的外侧，第二方向与第一方向垂直相交；漏极区，位于漂移区中。本发明能够在确保LDMOS器件的过流能力的同时，降低LDMOS器件的比导通电阻。
本发明授权LDMOS器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括： 衬底，包括沿第一方向相对分布的正面和背面； 体区，位于所述衬底内，所述体区内具有沟槽； 源极区，位于所述体区内，所述源极区包括位于所述沟槽的底面上的体区接触区和环绕所述体区接触区的外周对称分布的源极掺杂区，所述源极掺杂区呈弯折形状且连续分布于所述沟槽的侧壁上和所述沟槽的部分底面上，所述体区接触区与所述源极掺杂区接触连接，其中，通过所述沟槽增大所述源极区的面积，以确保所述LDMOS器件的过流能力；同时，通过缩小体区的尺寸来缩减所述LDMOS器件中源极区与漏极区距离，以降低所述LDMOS器件的比导通电阻； 漂移区，位于所述衬底内，且所述漂移区沿第二方向分布于所述体区的外侧，所述第二方向与所述第一方向垂直相交； 漏极区，位于所述漂移区中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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