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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947232B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510429427.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其制备方法是由胡林辉;陈志睿;刘璞方;张强;王珊珊;仇峰设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。本发明提供的半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供一第一型衬底，第一型衬底包括依次堆叠的第一子衬底、埋氧层及第二子衬底；对第一子衬底进行背面掺杂形成第二型深注入区，第二型深注入区一侧形成第二型重掺区；在第二子衬底表面形成晶体管器件及介电层，晶体管器件包括形成于第二子衬底表面的第一型外延层，形成于第一型外延层内的第二型阱区，介电层形成于第一型外延层表面；刻蚀介电层、第一型外延层、第二子衬底及埋氧层形成位于第二型阱区外侧的第二深沟槽，第二深沟槽的底部暴露第二型重掺区；在第二深沟槽内形成第一导电柱。上述技术方案能够增强器件的抗电离辐射性能。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一第一型衬底，所述第一型衬底包括依次堆叠的第一子衬底、埋氧层及第二子衬底；对所述第一子衬底进行背面掺杂形成第二型深注入区，且所述第二型深注入区一侧形成有第二型重掺区；在所述第二子衬底表面形成晶体管器件以及介电层，所述晶体管器件包括形成于所述第二子衬底表面的第一型外延层，形成于所述第一型外延层内的第二型阱区，所述介电层形成于所述第一型外延层的表面；刻蚀所述介电层、所述第一型外延层、所述第二子衬底及所述埋氧层形成位于所述第二型阱区外侧的第二深沟槽，且所述第二深沟槽的底部暴露所述第二型重掺区；在所述第二深沟槽内形成第一导电柱；所述晶体管器件还包括形成于所述第二型阱区表面的漏极，形成于所述第一型外延层内并与所述第二型阱区间隔设置的第一型体区，形成于所述第一型体区表面的源极和晶体管衬底，形成于所述源极与所述漏极之间的栅极，贯穿所述第一型外延层和所述第二子衬底并与所述埋氧层相接触的第一深沟槽隔离结构，且所述第一深沟槽隔离结构位于所述第二型阱区外侧，其中，所述第一导电柱位于所述第一深沟槽隔离结构外侧。

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