嘉兴阿特斯技术研究院有限公司陈磊获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利一种钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510279766.6，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池是由陈磊设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明提供一种钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池，属于光伏技术领域。制备方法包括以下步骤：将钙钛矿前驱体溶液和挥发性离子添加剂混合，得到改性钙钛矿前驱体溶液；将改性钙钛矿前驱体溶液涂覆在衬底上，形成湿膜，然后进行第一步退火，使得种子层内部形成垂直于衬底的气孔通路，再进行第二步退火，使得晶体沿着垂直于衬底的取向生长，形成由若干个竖直的片状结构组成的垂直取向晶粒，得到钙钛矿薄膜；第一步退火的温度大于第二步退火的温度，第一步退火的保温时间小于第二步退火的保温时间。该方法可使钙钛矿薄膜的结构达到低缺陷态、高载流子传输效率的效果，利于效率提升，同时致密有序排列的晶粒和低缺陷位点也利于稳定性提升。
本发明授权一种钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 将钙钛矿前驱体溶液和挥发性离子添加剂混合，得到改性钙钛矿前驱体溶液； 将所述改性钙钛矿前驱体溶液涂覆在衬底上，形成湿膜，然后进行第一步退火，使得种子层内部形成垂直于衬底的气孔通路，再进行第二步退火，使得晶体沿着垂直于衬底的取向生长，形成由若干个竖直的片状结构组成的垂直取向晶粒，得到所述钙钛矿薄膜；其中，所述第一步退火的温度大于所述第二步退火的温度，所述第一步退火的保温时间小于所述第二步退火的保温时间； 所述第一步退火的温度大于挥发性离子添加剂中挥发性阴离子的挥发温度； 所述第一步退火的温度为180-260℃； 所述第一步退火的保温时间为1-10s。
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