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龙图腾网获悉上海乾合微电子有限公司申请的专利一种兼容低工作电压的POR电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223284560U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520030859.0，技术领域涉及：G05F1/56；该实用新型一种兼容低工作电压的POR电路是由刘刚;赵云;武燕雨;郭天生;赵鹏设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种兼容低工作电压的POR电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种兼容低工作电压的POR电路，包括延迟单元，延迟单元用于在VIO电压的上电过程中产生一个滞后于VIO电压变化的跟随电压；延迟单元包括第一支路、第二支路和第三支路；第一支路包括依次串联的第一PMOS管、第一NMOS管和第二电阻；第二支路包括串联的第一电阻和第二NMOS管；第三支路包括串联的第二PMOS管和电容单元。本实用新型对MIPIRFFE芯片的POR电路进行了优化，实现VIO＝1.8V和1.2V兼容工作，在较低VIO电压下能正常提供有效的复位信号，实现硬复位功能。

本实用新型一种兼容低工作电压的POR电路在权利要求书中公布了：1.一种兼容低工作电压的POR电路，其特征在于，包括延迟单元，所述延迟单元用于在VIO电压的上电过程中产生一个滞后于VIO电压变化的跟随电压； 所述延迟单元包括第一支路、第二支路和第三支路；所述第一至第三支路跨接在VIO端和接地端之间； 所述第一支路包括依次串联的第一PMOS管、第一NMOS管和第二电阻，所述第一PMOS管的源极和VIO端电连接，所述第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极电连接，所述第二电阻的一端和第一NMOS管电连接，所述第二电阻的另一端接地； 所述第二支路包括串联的第一电阻和第二NMOS管；所述第二NMOS管的漏极通过第一电阻和VIO端电连接，所述第二NMOS管的源极接地； 所述第三支路包括串联的第二PMOS管和电容单元；所述第二PMOS管的源极和VIO端电连接；所述电容单元的一端和第二PMOS管的漏极电连接，所述电容单元的另一端接地； 所述第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极电连接；所述第二NMOS管的栅极和第一NMOS管的源极电连接；所述第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极电连接至第一PMOS管的漏极； 所述第二PMOS管的漏极电压为所述延迟单元产生的跟随电压。

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