湖北兴福电子材料股份有限公司黄莉获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北兴福电子材料股份有限公司申请的专利一种利用聚焦离子束制备TEM孔隙样品的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119666504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411831653.4，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权一种利用聚焦离子束制备TEM孔隙样品的方法是由黄莉;贺兆波;曾远;叶瑞;徐泽设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用聚焦离子束制备TEM孔隙样品的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及深度较大的孔隙样品，提供了一种采用聚焦离子束（FIB）制备孔隙样品观察底部结构的方法。该方法通过将离子减薄专用树脂填充入孔隙内部、引入改进的倒切技术等手段，解决了现有技术中制备样品时产生的孔隙结构变形、聚焦离子束对孔隙内部损伤大的问题，本发明的技术效果在于它能够提高孔隙样品底部结构的稳定性、避免减薄过程中对孔隙结构的损伤。
本发明授权一种利用聚焦离子束制备TEM孔隙样品的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用聚焦离子束制备TEM孔隙样品的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、样品前处理：将TEM孔隙样品固定在样品台上，并对TEM孔隙样品进行树脂胶固化处理； S2、FIB刻蚀：在FIB设备中，通过精确控制聚焦离子束，对孔隙样品进行初始切割； S3、倒切：利用FIB将试样薄片的待粘结面打磨平整，调整纳米机械手和铜柱的相对位置，使用钨层将试样和铜柱下端焊接在一起，此时孔隙样品的底部变成待减薄试样的顶部，切断钨针； S4、换样品台：将负载有试样的铜网从0°样品台转移到38°样品台上，再次进样，转动样品台，使铜柱朝上，在试样薄片的顶部镀一层钨保护层； S5、精细打磨：先使用逐级降低离子束电压的方法对试样进行精细打磨，将TEM孔隙样品减薄至100nm以下，然后对减薄后的TEM薄片进行吹扫处理和清洗处理，以去除表面的非晶层和损伤层，制得所述的TEM孔隙样品。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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