深圳平湖实验室冯思睿获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767781B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411834887.4，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电子设备是由冯思睿;万玉喜;胡浩林设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括依次层叠的衬底、外延层、刻蚀终止层、沟道层和势垒层，外延层内设置有第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区中的一者的掺杂类型为N型，另一者的掺杂类型为P型。半导体器件还包括位于势垒层上的栅极、源极和漏极，及贯穿势垒层、沟道层和刻蚀终止层至外延层远离衬底的一侧表面的第一连接结构和第二连接结构。第一连接结构靠近衬底的一端与第一掺杂区电连接，远离衬底的一端与源极电连接；第二连接结构靠近衬底的一端与第二掺杂区电连接，远离衬底的一端与漏极或栅极电连接。半导体器件应用于功率开关器件。
本发明授权半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底上；所述外延层内设置有第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中的一者的掺杂类型为N型，另一者的掺杂类型为P型； 刻蚀终止层，位于所述外延层上； 沟道层，位于所述刻蚀终止层上； 势垒层，位于所述沟道层上； 栅极、源极和漏极，均位于所述势垒层上；所述栅极位于所述源极和所述漏极之间； 第一连接结构和第二连接结构，均贯穿所述势垒层、所述沟道层和所述刻蚀终止层至所述外延层远离所述衬底的一侧表面； 其中，所述第一连接结构靠近所述衬底的一端与所述第一掺杂区电连接，远离所述衬底的一端与所述源极电连接；所述第二连接结构靠近所述衬底的一端与所述第二掺杂区电连接，远离所述衬底的一端与目标电极电连接，所述目标电极为所述漏极或所述栅极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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