深圳市美浦森半导体有限公司滕渊获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利一种IGBT芯片的元胞区结构和IGBT芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223286135U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422702496.9，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种IGBT芯片的元胞区结构和IGBT芯片是由滕渊;刘坤设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种IGBT芯片的元胞区结构和IGBT芯片在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体器件技术，公开一种IGBT芯片的元胞区结构和IGBT芯片，包括：衬底，以及在衬底正面挖空处设置的P阱区；两个纵向穿过P阱区的Poly栅极，在两个Poly栅极之间的P阱区上表面挖空处设置的硅化物区；在衬底正面、P阱区、Poly栅极之上设有氧化层，且氧化层还将Poly栅极与衬底、P阱区、硅化物区隔离；在氧化层、硅化物区之上设有介质层，以及纵向穿透介质层与硅化物区接触的正面金属层；在衬底背面之下依次设有缓冲层、P型掺杂层和背面金属层。本实用新型旨在使IGBT芯片具有天然的抗闩锁特性，以消除相应的闩锁效应。
本实用新型一种IGBT芯片的元胞区结构和IGBT芯片在权利要求书中公布了：1.一种IGBT芯片的元胞区结构，其特征在于，包括： 衬底，以及在衬底正面挖空处设置的P阱区； 两个纵向穿过P阱区的Poly栅极，在两个Poly栅极之间的P阱区上表面挖空处设置的硅化物区； 在衬底正面、P阱区、Poly栅极之上设有氧化层，且氧化层还将Poly栅极与衬底、P阱区、硅化物区隔离； 在氧化层、硅化物区之上设有介质层，以及纵向穿透介质层与硅化物区接触的正面金属层； 在衬底背面之下依次设有缓冲层、P型掺杂层和背面金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市美浦森半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区西乡大道和宝源路交汇处中央大道D座16A；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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