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龙图腾网获悉西安交通大学;中航光电科技股份有限公司申请的专利大功率连接器插头插座接触件单锥面结构设计方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119293883B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411410721.X，技术领域涉及：G06F30/10；该发明授权大功率连接器插头插座接触件单锥面结构设计方法及系统是由杨皓翔;郭建设;刘培焱;裴勇喆;冯阳;李盛涛设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本大功率连接器插头插座接触件单锥面结构设计方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大功率连接器插头插座接触件单锥面结构设计方法及系统，根据大功率连接器插头插座接触件的单锥面结构的结构参数建立二维轴对称仿真模型；对二维轴对称仿真模型依次赋予材料特性、设置边界条件、网格划分，仿真计算最后所得二维轴对称仿真模型在插头插座接触件的单锥面结构处的界面压力和电场强度，判断界面压力、电场强度以及大功率连接器插头插座接触件的单锥面结构的体积是否符合要求，若符合，将该二维轴对称仿真模型对应的结构参数作为大功率连接器插头插座接触件的单锥面结构的结构参数；否则，改变所述二维轴对称仿真模型的结构参数，重新赋予材料特性、设置边界条件、网格划分。

本发明授权大功率连接器插头插座接触件单锥面结构设计方法及系统在权利要求书中公布了：1.大功率连接器插头插座接触件单锥面结构设计方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：根据大功率连接器插头插座接触件的单锥面结构的结构参数建立二维轴对称仿真模型；所述二维轴对称仿真模型包括插头插座内导体1、插头插座外导体2、插座绝缘体3、第一插头绝缘体4和第二插头绝缘体5； 所述插头插座外导体2设置在插头插座内导体1的外侧，插座绝缘体3、第一插头绝缘体4和第二插头绝缘体5自上至下依次设置在插头插座外导体2设置在插头插座内导体1之间； 所述第二插头绝缘体5的上端设置有与第一插头绝缘体4下端配合的斜面，第一插头绝缘体4的上端设置有插头插座内导体1配合的台阶以及与插座绝缘体3下端配合的斜面，插座绝缘体3的下端还设置有与插头插座外导体2内侧配合的台阶，所述插头插座外导体2的外侧也设置有台阶； 步骤2：对步骤1所得二维轴对称仿真模型赋予材料特性； 步骤3：对步骤2所得二维轴对称仿真模型设置边界条件；具体为：对插头插座外导体2的上侧边界g、插头插座外导体2的外侧台阶边界h以及插头插座外导体2的下侧边界i设置固定约束； 所述插头插座内导体1的上侧边界、插头插座外导体2的上侧边界f、插座绝缘体3的上侧边界e、插头插座内导体1的下侧边界l、第二插头绝缘体5的下侧边界k以及插头插座外导体2的下侧边界j设置辊支撑； 所述第一插头绝缘体4的上端台阶边界a、斜面边界b，以及插座绝缘体3的下端台阶边界c设置为接触边界条件； 步骤4：对步骤3所得二维轴对称仿真模型进行网格划分； 步骤5：仿真计算步骤4所得二维轴对称仿真模型在插头插座接触件的单锥面结构处的界面压力和电场强度，判断界面压力、电场强度以及大功率连接器插头插座接触件的单锥面结构的体积是否符合要求，若符合，将该二维轴对称仿真模型对应的结构参数作为大功率连接器插头插座接触件的单锥面结构的结构参数；否则，改变所述二维轴对称仿真模型的结构参数，跳转至步骤2。

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