台湾积体电路制造股份有限公司刘士玮获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223284980U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422362896.X，技术领域涉及：H01L23/485；该实用新型半导体装置是由刘士玮;林柏尧;江幸达;吴存晏;言玮设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本揭示内容提供一种半导体装置，包括基板、第一晶粒、第二晶粒、应力缓冲结构及金属层。第一晶粒及第二晶粒接合至基板的第一侧。应力缓冲结构在第一晶粒及第二晶粒上方，其中应力缓冲结构包括延伸通过第一绝缘层的第一铜通孔的底部部分、延伸通过第二绝缘层的第一铜通孔的中间部分及延伸通过第三绝缘层的第一铜通孔的顶部部分，其中第一铜通孔的中间部分安置于第一铜通孔的底部部分与第一铜通孔的顶部部分之间，且其中第一铜通孔的中间部分的直径小于第一铜通孔的底部部分及第一铜通孔的顶部部分的多个直径。金属层在应力缓冲结构上方。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一基板； 一第一晶粒及一第二晶粒接合至该基板的一第一侧； 一应力缓冲结构在该第一晶粒及该第二晶粒上方，其中该应力缓冲结构包括： 延伸通过一第一绝缘层的一第一铜通孔的一底部部分； 延伸通过一第二绝缘层的该第一铜通孔的一中间部分；以及 延伸通过一第三绝缘层的该第一铜通孔的一顶部部分，其中该第一铜通孔的该中间部分安置于该第一铜通孔的该底部部分与该第一铜通孔的该顶部部分之间，且其中该第一铜通孔的该中间部分的一直径小于该第一铜通孔的该底部部分及该第一铜通孔的该顶部部分的多个直径；以及 一金属层在该应力缓冲结构上方。
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