上海得倍电子技术有限公司乔红瑗获国家专利权
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龙图腾网获悉上海得倍电子技术有限公司申请的专利一种硅基CMOS和雪崩二极管并列集成的光传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223286142U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422369521.6，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型一种硅基CMOS和雪崩二极管并列集成的光传感器是由乔红瑗;解维祺;曾晓;丁佳卿设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基CMOS和雪崩二极管并列集成的光传感器在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种硅基CMOS和雪崩二极管并列集成的光传感器，包括：衬底；外延层，其位于所述衬底上；一个或多个单光子雪崩二极管SPAD，其位于所述外延层中，所述单光子雪崩二极管SPAD包括：掩埋层；雪崩区，其位于所述掩埋层之上；二极管掺杂区，其位于雪崩区的上表面；SPAD电极引出区，其位于所述掩埋层之上且位于所述雪崩区的单侧、两侧或四周；SPAD电极接触区，其位于所述SPAD电极引出区的上表面；一个或多个硅基CMOS晶体管电路，其位于所述外延层中，其中所述单光子雪崩二极管与所述CMOS晶体管电路位于同一平面，且二者之间电连接。本实用新型的光传感器中雪崩二极管和CMOS电路在同一平面，实现在一个芯片上完成传感器的全部功能。
本实用新型一种硅基CMOS和雪崩二极管并列集成的光传感器在权利要求书中公布了：1.一种硅基CMOS和雪崩二极管并列集成的光传感器，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，其位于所述衬底上； 一个或多个单光子雪崩二极管SPAD，其位于所述外延层中，所述单光子雪崩二极管SPAD包括： 掩埋层； 雪崩区，其位于所述掩埋层之上； 二极管掺杂区，其位于雪崩区的上表面； SPAD电极引出区，其位于所述掩埋层之上且位于所述雪崩区的单侧、两侧或四周； SPAD电极接触区，其位于所述SPAD电极引出区的上表面； 一个或多个硅基CMOS晶体管电路，其位于所述外延层中，其中所述单光子雪崩二极管与所述CMOS晶体管电路位于同一平面，且二者之间电连接。
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