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龙图腾网获悉大晟芯材料科技(山东)有限公司;滨化集团股份有限公司申请的专利一种半导体用管材洁净度测试方法及管材清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119023378B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411351359.3，技术领域涉及：G01N1/32；该发明授权一种半导体用管材洁净度测试方法及管材清洗方法是由陈国庆;沙蓓蓓;刘腾;冀振伟;张文乾;李钊;种庆;崔海波;韩卫忠;刘洪儒设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体用管材洁净度测试方法及管材清洗方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体生产过程的相关部件领域，具体为一种半导体用管材洁净度测试方法及管材清洁方法。包括：采用超纯水对管材进行水洗，去除管材附着的杂质；选择使用分子量小、渗透性极强的电子级氢氟酸作为酸洗物料，通过酸洗流程对管材进行深层次浸泡清洗，充分清除管材中的金属离子、阴离子、颗粒等杂质，达到预定的清洗判定标准后，进行洁净度测试。测试流程充装一定量的电子级氢氟酸，采取放置、间隔测试的方法进行表征，根据测试数据，计算管材杂质的析出量，基于以上测试方法提出一种半导体用氟聚合物管材的清洁方法，实现了清洗成本和时间的灵活调整，满足高级别湿化学品光刻胶的使用要求。

本发明授权一种半导体用管材洁净度测试方法及管材清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种基于半导体用管材洁净度测试方法的半导体用管材清洗方法，其特征在于，所述测试方法包括如下步骤； 1样品前期处理与清洗； 2浸泡得到测试液；所述浸泡包括用金属离子小于3ngkg的49％电子级氢氟酸对样品进行浸泡，分别为：放置2小时得到测试液1，放置1天得到测试液2，放置3天得到测试液3，放置5天得到测试液4，放置7天得到测试液5； 3取样分析及统计；所述取样分析使用金属离子析出小于1ppt的超纯净PFA瓶对各测试液进行取样，分析各测试液中析出的金属离子、阴离子和颗粒含量； 所述清洗方法包括： 1针对前述步骤2得到的不同浸泡时间段的测试液1-5，利用步骤3所述的方法进行取样分析，并分别针对得到的各测试液中的所有金属离子和阴离子析出量，计算各种离子的析出速率： 其中，vk是离子在第k浸泡时间段的析出速率，σk是离子在第k浸泡时间段的析出量，tk为第k浸泡时间段的浸泡时间，其中t1＝2h，t2＝24h，t3＝72h，t4＝120h，t5＝168h； 比较各离子析出速率的变化幅度，将变化幅度最小的阴离子和阳离子定义为基准阴离子和基准阳离子；变化幅度采用的计算方法为计算 式中，为该离子的平均析出速率，将S2最小的离子作为基准离子； 2采用不同的水洗次数、每次水洗时间，酸洗次数，每次酸洗时间对管材进行清洗，并对清洗后的管材，利用金属离子小于3ngkg的49％电子级氢氟酸对样品进行浸泡3天，并取样分析基准阳离子和基准阴离子的析出量；并建立数据集，数据的每条数据均包括：数据ID、水洗次数、每次水洗时间、酸洗次数、每次酸洗时间、基准阳离子析出量、基准阴离子析出量，对数据进行回归分析，得到基准阳离子和阴离子与清洗参数的关系； Yp＝βp0+βp1X1+βp2X2+βp3X3+βp4X4+∈p YN＝βN0+βN1X1+βN2X2+βN3X3+βN4X4+∈pN 其中，Y表示基准离子析出量，∈为误差项，X1为水洗次数，X2为每次水洗时间，X3为酸洗次数，X4为每次酸洗时间，β0为截距项，β1～β4为各参数的系数，下标p表示基准阳离子，下标N表示基准阴离子； 3针对不同使用场景的离子析出量需求，采用水洗+酸洗的方式进行清洁，其中清洗参数包括水洗次数、每次水洗时间，酸洗次数，每次酸洗时间，根据上述基准阳离子和阴离子与清洗参数的关系确定清洗参数。

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