买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海奥令科电子科技有限公司申请的专利一种输入电流可变的电流比较器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119401989B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411351072.0，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权一种输入电流可变的电流比较器是由董羡;王昕宇;金聪设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种输入电流可变的电流比较器在说明书摘要公布了：本发明属于移动通信领域领域，提供了一种输入电流可变的电流比较器，包括：依次连接的输入电流补偿部分、电流镜部分以及改进SR级部分；输入电流补偿部分包括：第一PMOS管、第二PMOS管以及第三PMOS管；改进SR级部分包括：若干个TRIMMING位修正电路；本发明通过增加输入电流补偿部分和设计多级TRIMMING位修正电路解决了传统电流比较器需要多个不同的电流比较器以及复杂控制逻辑的缺陷，实现了对输入电流范围的扩展。

本发明授权一种输入电流可变的电流比较器在权利要求书中公布了：1.一种输入电流可变的电流比较器，其特征在于，包括：依次连接的输入电流补偿部分、电流镜部分以及改进SR级部分；所述输入电流补偿部分包括：第一PMOS管、第二PMOS管以及第三PMOS管；所述改进SR级部分包括：若干个TRIMMING位修正电路；所述电流镜部分包括：NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11； 所述第一PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的源极以及所述第三PMOS管的源极两两相连；所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极均与外部低电平端连接；所述第一PMOS管的源极与外部高电压端连接；所述第二PMOS管的衬底和所述第三PMOS管的衬底连接；所述第二PMOS管的漏极与所述电流镜部分的第一电流输入端连接；所述第三PMOS管的漏极与所述电流镜部分的第二电流输入端连接；全部所述TRIMMING位修正电路采用并联方式连接；所述NMOS管M4和所述NMOS管M6连接；所述NMOS管M5与所述NMOS管M7连接；所述NMOS管M6和所述NMOS管M7采用二极管接法；所述NMOS管M6的栅极与所述NMOS管M8的栅极连接；所述NMOS管M7的栅极与所述NMOS管M9的栅极连接；所述NMOS管M8和所述NMOS管M9组成电流镜；所述NMOS管M8与所述NMOS管M10连接；所述NMOS管M9与所述NMOS管M11连接；所述NMOS管M4、所述NMOS管M5、所述NMOS管M10、所述NMOS管M11采用共栅级接法；每个所述TRIMMING位修正电路均与所述NMOS管M10和所述NMOS管M11连接； 所述第一PMOS管用于提供电源到输入级的电流通路；所述第二PMOS管用于隔离正端输入电压与共模电压；所述第三PMOS管用于隔离负端输入电压与共模电压；所述电流镜部分用于通过所述NMOS管M8和所述NMOS管M9将第一级电流镜像至SR级；所述改进SR级部分用于通过比较输入的两路电流大小输出比较结果；所述TRIMMING位修正电路用于控制电源电压变化对工作点的影响。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海奥令科电子科技有限公司，其通讯地址为：200000 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1077号2幢5楼2501室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。