重庆云潼科技有限公司曾晓艳获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种中点稳定的双极性三相逆变电路及驱动电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223285752U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422303466.0，技术领域涉及：H02M7/487；该实用新型一种中点稳定的双极性三相逆变电路及驱动电路是由曾晓艳;鲁浩阳;徐磊;廖光朝设计研发完成，并于2024-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中点稳定的双极性三相逆变电路及驱动电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种中点稳定的双极性三相逆变电路及驱动电路，该电路被配置包括PMOS管Q1和NMOS管Q2，所述PMOS管Q1的G极用于偏置信号接入，S极作为电源端用于电源+接入，D极接所述NMOS管Q2的D极，并作为逆变电路的输出端用于负载接入；所述NMOS管Q2的G极用于偏置信号接入，S极作为电源端用于电源‑接入。本逆变电路使用NMOS与PMOS结合的双极性三相桥通过互补工作，在一定程度上自然地中和中点电压偏移，有效地改善了逆变电路中点电压浮动问题，提高了电路的稳定性和效率。
本实用新型一种中点稳定的双极性三相逆变电路及驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种中点稳定的双极性三相逆变电路，其特征在于，该电路被配置包括PMOS管Q1和NMOS管Q2，所述PMOS管Q1的G极用于偏置信号接入，S极作为电源端用于电源+接入，D极接所述NMOS管Q2的D极，并作为逆变电路的输出端用于负载接入；所述NMOS管Q2的G极用于偏置信号接入，S极作为电源端用于电源-接入。
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