武汉邮电科学研究院有限公司陈宝宝获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉邮电科学研究院有限公司申请的专利一种任意位置泵浦耦合的光放大集成芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119253400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411307962.1，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种任意位置泵浦耦合的光放大集成芯片是由陈宝宝;肖希设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种任意位置泵浦耦合的光放大集成芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及一种任意位置泵浦耦合的光放大集成芯片，其包括：端面耦合输入波导结构；模式复用结构，其用于将基模泵浦光转换为一阶模式泵浦光，并将基模信号光和一阶模式泵浦光合束；增益放大波导结构，其用于将基模信号光进行放大；至少一个耦合泵浦光结构，其用于将基模泵浦光耦合引入所述增益放大波导结构的任意位置；模式解复用结构，其用于将一阶模式泵浦光和放大后的基模信号光进行解复用；端面耦合输出结构，其用于基模泵浦光和放大后的基模信号光的耦合输出。利用光放大集成芯片上的模式复用结构进行跨波段合束，解决了其耦合效率低的问题，以及实现了任意位置泵浦耦合的灵活性。
本发明授权一种任意位置泵浦耦合的光放大集成芯片在权利要求书中公布了：1.一种任意位置泵浦耦合的光放大集成芯片，其特征在于，其包括： 端面耦合输入波导结构1，其用于基模信号光和基模泵浦光耦合输入； 模式复用结构2，其用于将基模泵浦光转换为一阶模式泵浦光，并将基模信号光和一阶模式泵浦光合束； 增益放大波导结构3，其用于将基模信号光进行放大； 至少一个耦合泵浦光结构4，其用于将基模泵浦光耦合引入所述增益放大波导结构3的任意位置； 模式解复用结构5，其用于将一阶模式泵浦光和放大后的基模信号光进行解复用； 端面耦合输出结构6，其用于放大后的基模信号光和基模泵浦光的耦合输出； 所述端面耦合输入波导结构1、所述模式复用结构2、所述增益放大波导结构3、所述模式解复用结构5和所述端面耦合输出结构6依次相连，所述耦合泵浦光结构4设置于所述增益放大波导结构3的传输路径。
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