泉州装备制造研究所李宇聪获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州装备制造研究所申请的专利一种双光源斜入射的半导体晶圆表面质量检测系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223284149U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422287768.3，技术领域涉及：G01N21/95；该实用新型一种双光源斜入射的半导体晶圆表面质量检测系统是由李宇聪;龙晋桓;韩军;吴飞斌;黄惠玲;陈杰;陈宇;鄢震廷设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双光源斜入射的半导体晶圆表面质量检测系统在说明书摘要公布了：本实用新型适用于光学检测领域，提供了一种双光源斜入射的半导体晶圆表面质量检测系统，所述第一激光器的激光依次经过所述分光镜、所述偏振片、所述第一凸透镜、所述光阑模块和所述第二凸透镜，倾斜射入待测半导体晶圆表面；所述第二激光器的激光依次经过所述分光镜、所述偏振片、所述第一凸透镜、所述光阑模块和所述第二凸透镜，倾斜射入待测半导体晶圆表面。现有的光学检测存在探测视场小、衍射分辨率低、难以定位的不足，而本实用新型通过结合光致发光检测和角分辨散射检测两种检测技术的特征，能够简单快速地获取两种检测的结果，完成对半导体晶圆样品表面及亚表面的缺陷检测和表面粗糙度的质量评价检测。
本实用新型一种双光源斜入射的半导体晶圆表面质量检测系统在权利要求书中公布了：1.一种双光源斜入射的半导体晶圆表面质量检测系统，其特征在于，所述双光源斜入射的半导体晶圆表面质量检测系统包括第一激光器、第一分光镜、第二激光器、偏振片、第一凸透镜、光阑模块和第二凸透镜； 所述第一激光器的激光依次经过所述第一分光镜、所述偏振片、所述第一凸透镜、所述光阑模块和所述第二凸透镜，倾斜射入待测半导体晶圆表面； 所述第二激光器的激光依次经过所述第一分光镜、所述偏振片、所述第一凸透镜、所述光阑模块和所述第二凸透镜，倾斜射入待测半导体晶圆表面。
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