晶能光电股份有限公司管志斌获国家专利权
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龙图腾网获悉晶能光电股份有限公司申请的专利倒装LED芯片、发光装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223286156U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422239267.8，技术领域涉及：H10H20/832；该实用新型倒装LED芯片、发光装置是由管志斌;杨小东;江雪琴设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本倒装LED芯片、发光装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供的倒装LED芯片、发光装置，n极区域呈规则图形并位于芯片的中央位置，用于形成n型电极；p极区域至少位于芯片中处于对角线位置的两个顶角处，用于形成p型电极；将n型电极设置于芯片中心区域，通过通孔与n型半导体层连接，有利于芯片工作时通过n极电极散热，将p型电极至少设置于芯片的处于对角线位置的两个顶角处，这样在进行回流焊时，即使一侧悬空，另一侧的p型电极也能与封装基板良好接触，避免出现p型电极虚焊的情况，大幅提高了产品的可靠性。
本实用新型倒装LED芯片、发光装置在权利要求书中公布了：1.一种倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片整体为方形，芯片包括： 生长衬底； 于所述生长衬底表面形成的半导体多层结构，包括依次堆叠的n型半导体层、发光层及p型半导体层，且表面划分为n极区域和p极区域，所述p极区域至少配置于LED芯片的两个对角处； 于所述半导体多层结构中p型半导体层一侧的表面形成的反射金属结构； 于所述n极区域形成的贯穿至n型半导体层的n型电极通孔； 于所述反射金属结构表面形成延伸至n型电极通孔侧壁的绝缘层，部分位于p极区域的绝缘层中配置有连通至所述反射金属结构的p型电极通孔； 连接n极区域中所有n型电极通孔于绝缘层表面形成的n型电极； 连接位于同一顶角p极区域中各p型电极通孔、形成于反射金属结构表面的p型电极。
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