湖南三安半导体有限责任公司李万获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利肖特基二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223286133U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422217523.3，技术领域涉及：H10D8/60；该实用新型肖特基二极管是由李万;黄维;童薇;曹浪波;彭志高设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本肖特基二极管在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供一种肖特基二极管，包括：半导体基底、肖特基接触层、正面金属层、钝化层和保护层。半导体基底具有有源区和围绕有源区的外围区域。肖特基接触层设置在有源区上以与半导体基底形成肖特基接触、并从有源区朝向外围区域延伸。正面金属层设置在肖特基接触层背离半导体基底的一侧、并从有源区朝向外围区域延伸，且正面金属层的端面相对于肖特基接触层的端面内缩。钝化层覆盖肖特基接触层及正面金属层、且暴露出至少部分正面金属层的表面。保护层覆盖钝化层、且暴露出至少部分正面金属层的表面。本实用新型实施例通过设计肖特基接触层的端面和正面金属层的端面的相对位置关系，可以提升器件的H3TRB可靠性能力。
本实用新型肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括： 半导体基底，具有有源区和围绕所述有源区的外围区域； 肖特基接触层，设置在所述有源区上以与所述半导体基底形成肖特基接触、并从所述有源区朝向所述外围区域延伸； 正面金属层，设置在所述肖特基接触层背离所述半导体基底的一侧、并从所述有源区朝向所述外围区域延伸，其中所述正面金属层的端面相对于所述肖特基接触层的端面内缩； 钝化层，设置在所述半导体基底上，其中所述钝化层覆盖所述肖特基接触层及所述正面金属层且暴露出至少部分所述正面金属层的表面，所述钝化层的材料为无机材料；以及 保护层，设置在所述半导体基底上，其中所述保护层覆盖所述钝化层、且暴露出至少部分所述正面金属层的表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南三安半导体有限责任公司，其通讯地址为：410000 湖南省长沙市长沙高新开发区长兴路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励