北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司史双双获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利量子点发光二极管、显示基板和显示装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223286162U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422134199.9，技术领域涉及：H10K50/16；该实用新型量子点发光二极管、显示基板和显示装置是由史双双设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点发光二极管、显示基板和显示装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种量子点发光二极管、显示基板和显示装置。量子点发光二极管包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的量子点发光层、第一电子传输层和第二电子传输层，第一电子传输层和第二电子传输层依次设置在量子点发光层靠近第二电极的一侧；其中，第一电子传输层和第二电子传输层的材料包括无机纳米颗粒，第一电子传输层的导带底能级与量子点发光层的导带底能级相匹配，第二电子传输层的导带底能级大于第二电极的功函数且小于第一电子传输层的导带底能级；第二电子传输层的载流子迁移率大于第一电子传输层的载流子迁移率，第二电子传输层被配置为调节第一电极和第二电极之间光学微腔的长度。
本实用新型量子点发光二极管、显示基板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点发光层、第一电子传输层和第二电子传输层，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层依次设置在所述量子点发光层靠近所述第二电极的一侧； 其中，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的材料包括无机纳米颗粒，所述第一电子传输层的导带底能级与所述量子点发光层的导带底能级相匹配，所述第二电子传输层的导带底能级大于所述第二电极的功函数且小于所述第一电子传输层的导带底能级；所述第二电子传输层的载流子迁移率大于所述第一电子传输层的载流子迁移率，所述第二电子传输层被配置为调节所述第一电极和所述第二电极之间光学微腔的长度。
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