株式会社AESC日本张文晶获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社AESC日本申请的专利二次电池、电池组及电子装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223285250U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422040027.5,技术领域涉及:H01M50/593;该实用新型二次电池、电池组及电子装置是由张文晶;单雪燕设计研发完成,并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本二次电池、电池组及电子装置在说明书摘要公布了:本实用新型提供了一种二次电池、电池组及电子装置,该二次电池包括:电极组件,其包括第一极片、第二极片和设置在第一极片与第二极片之间的隔膜。第一极片包括:第一集流体,沿其厚度方向具有相对的第一表面和第二表面,第一集流体的第一表面和第二表面中的部分表面被第一活性物质层覆盖,第一集流体包括未被第一活性物质层覆盖的未涂覆区;绝缘层,覆盖于未涂覆区的至少部分,包括位于第一表面的第一绝缘层和位于第二表面的第二绝缘层;其中,第一集流体的未涂覆区朝向第一表面一侧弯折,第一活性物质层往绝缘层的方向为第一方向,沿第一方向,第二绝缘层的第二上端面超出第一绝缘层的第一上端面。上述技术方案至少能够提高二次电池的安全性。
本实用新型二次电池、电池组及电子装置在权利要求书中公布了:1.一种二次电池,其特征在于,包括电极组件,所述电极组件包括第一极片、第二极片和设置在所述第一极片与所述第二极片之间的隔膜,其中,所述第一极片包括: 第一集流体,沿其厚度方向具有相对的第一表面和第二表面,所述第一集流体的所述第一表面和所述第二表面中的部分表面被第一活性物质层覆盖,所述第一集流体包括未被所述第一活性物质层覆盖的未涂覆区; 绝缘层,覆盖于所述未涂覆区的至少部分,所述绝缘层包括位于所述第一表面的第一绝缘层和位于所述第二表面的第二绝缘层; 其中,所述第一集流体的所述未涂覆区朝向所述第一表面一侧弯折,所述第一活性物质层往所述绝缘层的方向为第一方向,沿所述第一方向,所述第二绝缘层的第二上端面超出所述第一绝缘层的第一上端面。
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