中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)冉龙玄获国家专利权
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龙图腾网获悉中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)申请的专利一种GaN HEMT器件的SMD金属陶瓷管座结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223284973U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422021476.5，技术领域涉及：H01L23/10；该实用新型一种GaN HEMT器件的SMD金属陶瓷管座结构是由冉龙玄;王智;袁强;谭爽;吴俊德;郑超;古进;周嵘设计研发完成，并于2024-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN HEMT器件的SMD金属陶瓷管座结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种GaNHEMT器件的SMD金属陶瓷管座结构；包括陶瓷板，陶瓷板上端面一端设有芯片焊板和辅助接口另一端设有两个电极柱；陶瓷板的下端面设有：分别与两个电极柱连接的G极电极和E极电极，与芯片焊板连接的S极电极，将辅助接口覆盖的辅助电极；陶瓷板的上端面边缘设有封口环。本实用新型通过一体的电极与陶瓷板上的器件连接，保证了电极的导电性能，并且设置了辅助电极来降低寄生电感，提高开关速度，减少开关损耗，改善热管理。
本实用新型一种GaN HEMT器件的SMD金属陶瓷管座结构在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT器件的SMD金属陶瓷管座结构，其特征在于： 包括陶瓷板2， 陶瓷板2上端面一端设有芯片焊板5和辅助接口3另一端设有两个电极柱4； 陶瓷板2的下端面设有：分别与两个电极柱4连接的G极电极6和E极电极7，与芯片焊板5连接的S极电极8，将辅助接口3覆盖的辅助电极9； 陶瓷板2的上端面边缘设有封口环1。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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