深圳宏恩电子技术有限公司韩冬年获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳宏恩电子技术有限公司申请的专利一种硅光半导体高温老化测试设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223284335U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422002842.2，技术领域涉及：G01R31/28；该实用新型一种硅光半导体高温老化测试设备是由韩冬年设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅光半导体高温老化测试设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种硅光半导体高温老化测试设备，涉及芯片老化测试技术领域，包括老化测试主机，温控主机，监控主机，还包括密封加热腔，老化测试主机顶部设置有若干个信号传输接口，信号传输接口上方还设置有接口转换板，接口转换板上设置有芯片测试接口，芯片测试接口一端与信号传输接口连接，一端用于接入待测芯片，老化测试主机内部至少设置有电源、控制板和与芯片拔插座连接的检测板；密封加热腔固定连接在老化测试主机顶部，密封加热腔内设置有加热装置和温度传感器，密封加热腔顶部设置有门体，温控主机与密封加热腔连接，监控主机与老化测试主机和温控主机连接。本实用新型，解决了高温环境下测试板工作性能低的问题。
本实用新型一种硅光半导体高温老化测试设备在权利要求书中公布了：1.一种硅光半导体高温老化测试设备，包括老化测试主机（1），温控主机（3），监控主机（4），其特征在于：还包括密封加热腔（2），所述老化测试主机（1）顶部设置有若干个信号传输接口（5），所述信号传输接口（5）上方分别设置有接口转换板（6），所述接口转换板（6）上设置有芯片测试接口（14），所述芯片测试接口（14）一端与信号传输接口（5）连接，一端用于接入待测芯片（10），所述老化测试主机（1）内部至少设置有电源（11）、控制板（12）和与芯片拔插座连接的检测板（13）；所述密封加热腔（2）固定连接在老化测试主机（1）顶部，使得芯片测试接口（14）位于密封加热腔（2）内，所述密封加热腔（2）内设置有加热装置和温度传感器，所述密封加热腔（2）顶部设置有门体（9），所述温控主机（3）与密封加热腔（2）连接，所述监控主机（4）与老化测试主机（1）和温控主机（3）连接。
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