芯仕达电子材料(昆山)有限公司詹博筌获国家专利权
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龙图腾网获悉芯仕达电子材料(昆山)有限公司申请的专利去除半导体基材灰化后残留物的组合物及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119020117B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411120991.7，技术领域涉及：C11D7/32；该发明授权去除半导体基材灰化后残留物的组合物及方法是由詹博筌;王秋桂;尤绍峰设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本去除半导体基材灰化后残留物的组合物及方法在说明书摘要公布了：本发明公开去除半导体基材灰化后残留物的组合物及方法，组合物按照重量百分比包括0.05‑10wt%的有机胺类化合物、0.001‑10wt%的润湿剂和80‑99.5wt%的水，润湿剂包括多元醇化合物或界面活性剂的至少一种。不含羟胺，不含氟化物，以有机胺类化合物为主体，配合润湿剂（多元醇化合物和或界面活性剂）和水构成水基清洗剂，不含大量有机溶剂，也不含螯合剂及硅酸盐腐蚀抑制剂，成本更低且环保。低温操作，清洗剂中水分及有效成分不易散失，组合物稳定性较好，对金属侵蚀速率较低，清洗效能稳定，能有效去除干法刻蚀电浆灰化后的残留物，对原本晶片上的金属线路、介电层及晶片底材材料无侵蚀或极低度侵蚀。
本发明授权去除半导体基材灰化后残留物的组合物及方法在权利要求书中公布了：1.去除半导体基材灰化后残留物的组合物，其特征在于，按照重量百分比包括0.05-10wt%的有机胺类化合物、0.001-10wt%的润湿剂和80-99.5wt%的水，所述有机胺类化合物为单乙醇胺和四甲基氢氧化铵中的至少一种，所述润湿剂包括多元醇化合物或界面活性剂的至少一种，所述多元醇化合物包括乙二醇、丙二醇、丙三醇、聚乙二醇中的至少一种，所述界面活性剂为TritonX-100。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯仕达电子材料(昆山)有限公司，其通讯地址为：215341 江苏省苏州市昆山市千灯镇少卿东路169号2号房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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