成都众智创芯科技有限公司季春辉获国家专利权
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龙图腾网获悉成都众智创芯科技有限公司申请的专利一种基于DSP的高性能SIP电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223284992U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421928345.9，技术领域涉及：H01L25/16；该实用新型一种基于DSP的高性能SIP电路是由季春辉;季昊楠设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于DSP的高性能SIP电路在说明书摘要公布了：本实用新型实施例公开了一种基于DSP的高性能SIP电路，涉及芯片集成领域，包括：基于DSP的微部件模块；电源模块，与所述微部件模块连接，用于提供电源；所述微部件模块通过HPIO管脚与第一外设连接；所述微部件模块通过GTH管脚与第二外设连接。通过将微部件模块封装在塑封基板上，提高了集成度的同时，性能也得到提升，同时通过设置管脚与外部设备连接，实现了高速数据传输和高速串行数据传输的效果。
本实用新型一种基于DSP的高性能SIP电路在权利要求书中公布了：1.一种基于DSP的高性能SIP电路，其特征在于，包括： 基于DSP的微部件模块； 电源模块，与所述微部件模块连接，用于提供电源； 所述微部件模块通过HPIO管脚与第一外设连接； 所述微部件模块通过GTH管脚与第二外设连接； 所述微部件模块包括：基座、FPGA裸芯、DDR3微组件、DSP裸芯、NORFlash裸芯和阻容元件； 所述FPGA裸芯、所述DDR3微组件、所述DSP裸芯、所述NORFlash裸芯和所述阻容元件集成于所述基座上； 所述DDR3微组件通过多颗DDR3裸芯在垂直方向上堆叠形成，每颗DDR3裸芯通过对应的引脚与所述FPGA裸芯连接； 所述阻容元件的数量至少为2个； 所述NORFlash微组件与所述FPGA裸芯互相连接； 所述DSP裸芯与所述FPGA裸芯互相连接； 所述FPGA裸芯位于所述基座的一侧，所述DDR3微组件、所述DSP裸芯和所述NORFlash裸芯位于所述基座的另一侧； 所述电源模块经过所述阻容元件为所述FPGA裸芯、所述DSP裸芯、所述DDR3微组件和所述NORFlash裸芯提供电源。
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